[实用新型]一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统

权利要求书

1.一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，其特征在于，包括：

设置在测量密封室内、激发外延片产生光信号，并对所述光信号进行模数处理的测量子系统；

与所述测量子系统相连、通过所述光信号获得外延片光谱并通过分析所述外延片光谱获得外延片压电场的分析控制子系统。

2.根据权利要求1所述的GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，其特征在于，所述测量子系统包括：

与所述外延片相连、为所述外延片提供外置电压的电压源；

产生用于照射在所述外延片表面的光以激发所述外延片产生光信号的激发光源；

接收并放大所述外延片的光信号的光电倍增管；

与所述光电倍增管相连以将所述光电倍增管输出的光信号转换为数字信号的A/D模数转换器。

3.根据权利要求2所述的GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，其特征在于，所述分析控制子系统包括：

与所述A/D模数转换器相连、通过所述A/D模数转换器中的数字信号得到所述外延片光谱并通过分析所述外延片光谱获得外延片压电场的多功能控制器；

与所述电压源相连并调节所述电压源电压的电压调节控制器。

4.根据权利要求3所述的GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，其特征在于，所述外延片光谱由蓝移现象变为红移现象时的外置电压即为偏置电压。