[实用新型]半导体晶圆微型孔电镀装置

权利要求书

1.半导体晶圆微型孔电镀装置，包括，

镀槽，其上设电镀液循环管道、循环泵及过滤机构；

阳极，放置于镀槽内；

遮蔽板，放置于镀槽内，位于阳极一侧；

被镀物夹具即阴极，放置于镀槽内，位于遮蔽板另一侧；所述的阳极、遮蔽板、被镀物夹具均同时垂直或倾斜、且相对平行设置于镀槽内；

整流机构，分别电气连接阳极、被镀物夹具；其特征在于，还包括，喷流件及其摆动机构，喷流件设置于被镀物夹具的工作面一侧，喷流件具有一腔体，并通过软管与循环管道连通；喷流件面向被镀物夹具的工作面的一侧面设一个以上喷流口或喷嘴；喷流件一端连接使其沿被镀物夹具的工作面左右来回摆动和/或上下升降即水平或垂直方向摆动的摆动机构，使电镀液能够均匀地直接地喷射到被镀物夹具的工作面上的半导体晶圆微型孔。

2.如权利要求1所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，所述的喷流件放置于被镀物夹具和遮蔽板之间。

3.如权利要求1所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的喷流件的喷流口为可形成线形水刀的缝状结构设计，缝状结构一个以上，沿喷流件长度方向设置。

4.如权利要求3所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的缝状结构为与喷流件轴线垂直或倾斜设置。

5.如权利要求3或4所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的各缝状结构中，上下缝状结构的前后端部处于同一水平。

6.如权利要求3或4所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述喷流件上缝状结构设有一列以上。

7.如权利要求5所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述喷流件上缝状结构设有一列以上。

8.如权利要求3或4所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的缝状结构为直缝。 

9.如权利要求5所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的缝状结构为直缝。

10.如权利要求6所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的缝状结构为直缝。

11.如权利要求3或4所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述缝状结构宽度为0.01mm～5mm。

12.如权利要求5所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述缝状结构宽度为0.01mm～5mm。

13.如权利要求6所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述缝状结构宽度为0.01mm～5mm。

14.如权利要求1所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的喷流件的喷流口形状为锥孔。

15.如权利要求1所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的喷流件上沿喷流件宽度方向及高度方向设置若干喷嘴，呈阵列布置。

16.如权利要求15所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述喷嘴阵列中，相邻两排喷嘴沿宽度方向错位排列。

17.如权利要求1或15或16所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的喷嘴内有喷孔，喷孔形状为缝状、或锥孔。

18.如权利要求1或15或16所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的喷嘴喷射角30°～160°。

19.如权利要求17所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的喷嘴喷射角30°～160°。

20.如权利要求1或3或14或15或16所述的半导体晶圆微型孔电镀装置，其特征在于，所述的喷流件的喷流口或喷嘴垂直对准被镀物夹具，距离1～50mm。