[实用新型]4260纳米带通红外滤光片有效
申请号: | 201220091369.4 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202275177U | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 4260 纳米 通红 滤光 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种滤光片,特别是4260纳米带通红外滤光片。
背景技术
二氧化碳分析仪主要用于对室内及大气中的二氧化碳含量的测量,广泛应用在医疗、工农业生产中,二氧化碳分析仪的结构也有很多种主要有;化学吸附式、红外光学式、电导式及辐射吸附式,而红外方式是灵敏度最高的。其中红外二氧化碳滤光片的对二氧化碳的测量对于滤光片也有许多差别,测试的准确度是否高,跟滤光片吸收二氧化碳的量多少有着直接的关系,故需提高一个对二氧化碳吸收强的滤光片。
但是,目前用于测量二氧化碳的4260纳米带通红外滤光片,其信噪比低,精度差,不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比的4260纳米带通红外滤光片。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的4260纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板、以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、Si、SiO为镀膜材料的第二镀膜层,基板位于第一镀膜层和第二镀膜层之间,其特征是第一镀膜层包含由内到外依次排列329nm厚度的SiO层、129nm厚度的Ge层、379nm厚度的SiO层、162nm厚度的Ge层、369nm厚度的SiO层、208nm厚度的Ge层、440nm厚度的SiO层、137nm厚度的Ge层、276nm厚度的SiO层、181nm厚度的Ge层、726nm厚度的SiO层、110nm厚度的Ge层、352nm厚度的SiO层、142nm厚度的Ge层、237nm厚度的SiO层、365nm厚度的Ge层、583nm厚度的SiO层、153nm厚度的Ge层、209nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层、697nm厚度的SiO层、357nm厚度的Ge层、1006nm厚度的SiO层、405nm厚度的Ge层、601nm厚度的SiO层、464nm厚度的Ge层、895nm厚度的SiO层、443nm厚度的Ge层、552nm厚度的SiO层;第二镀膜层包含由内到外依次排列的612nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、2447nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、612nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、2447nm厚度的SiO层、307nm厚度的Ge层、647nm厚度的SiO层、240nm厚度的Ge层、638nm厚度的SiO层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
本实用新型得到的4260纳米带通红外滤光片,能实现中心波长定位为4260±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,极大的提高了信噪比,对二氧化碳的吸收强,提高了二氧化碳分析仪对二氧化碳的测量精度。
附图说明
图1是实施例整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例:
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