[实用新型]2100纳米带通红外滤光片有效
申请号: | 201220091300.1 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202472023U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 2100 纳米 通红 滤光 | ||
1.一种2100纳米带通红外滤光片,包括以Bk7玻璃为原材料的基板(1)、以Si和SiO为镀膜材料的第一镀膜层(2)和以Si和SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3),所述基板(1)位于第一镀膜层(2)和第二镀膜层(3)之间,其特征是第一镀膜层(2)包含从内向外依次排列的厚度为78nm的Si层、厚度为123nm的SiO层、厚度为123nm的Si层、厚度为151nm的SiO层、厚度为167nm的Si层、厚度为119nm的SiO层、厚度为68nm的Si层、厚度为222nm的SiO层、厚度为93nm的Si层、厚度为128nm的SiO层、厚度为78nm的Si层、厚度为210nm的SiO层、厚度为79nm的Si层、厚度为92nm的SiO层、厚度为76nm的Si层、厚度为161nm的SiO层、厚度为68nm的Si层、厚度为148nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为206nm的SiO层、厚度为82nm的Si层、厚度为129nm的SiO层、厚度为165nm的Si层、厚度为180nm的SiO层、厚度为158nm的Si层、厚度为128nm的SiO层、厚度为70nm的Si层、厚度为305nm的SiO层、厚度为106nm的Si层、厚度为282nm的SiO层、厚度为289nm的Si层、厚度为350nm的SiO层、厚度为185nm的Si层、厚度为287nm的SiO层以及厚度为287nm的Si层;第二镀膜层(3)包含从内向外依次排列的厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为571nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为285nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为1142nm的SiO层、厚度为143nm的Si层、厚度为305nm的SiO层、厚度为158nm的Si层以及厚度为158nm的SiO层。
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