[实用新型]一种内建模拟电源电路有效
| 申请号： | 201220090991.3 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN202486647U | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 贾晓伟;邓龙利;王帅旗 | 申请（专利权）人： | 北京经纬恒润科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100101 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 建模 电源 电路 | ||
1.一种内建模拟电源电路，其特征在于，包括：带隙基准源、运算放大器、第一补偿电容、第二补偿电容、第一稳压电容、第二稳压电容、高压PMOS功率管、低压NMOS管、第一电阻、第二电阻和外部电源电压；
所述带隙基准源的基准电压输出端与所述运算放大器的负输入端相连；所述带隙基准源的基准电压输出端通过所述第二稳压电容接地；
所述运算放大器的输出端、所述第一补偿电容的上极板与所述高压PMOS功率管的栅极相连；所述高压PMOS功率管的漏极、所述第二电阻的一端、所述第二补偿电容的下极板、所述低压NMOS管的漏极与所述第一稳压电容的上极板相连；所述第二电阻的另一端、所述第一电阻的一端、所述第二补偿电容的上极板、所述低压NMOS管的栅极与所述运算放大器的正输入端相连；所述外部电源电压与所述带隙基准源的电源端、所述运算放大器的电源端、所述第一补偿电容的下极板、所述高压功率管的源极及衬底相连；所述带隙基准源的地端、所述运算放大器的地端、所述第一电阻的另一端、所述低压NMOS管的源极及衬底、所述第一稳压电容的下极板与地电压相连。
2.根据权利要求1所述的内建模拟电源电路，其特征在于，所述带隙基准源、所述运算放大器，所述第一补偿电容及所述高压PMOS功率管为耐高压器件。
3.根据权利要求1所述的内建模拟电源电路，其特征在于，所述第一稳压电容、所述第二补偿电容、所述第二稳压电容、所述第一电阻、所述第二电阻和所述低压NMOS管为低压器件。
4.根据权利要求1所述的内建模拟电源电路，其特征在于，所述内建模拟电源电路的主极点设置在所述运算放大器的输出端，所述内建模拟电源电路的次极点设置在所述内建模拟电源电路的内部模拟电源输出端，所述内部模拟电源输出端与所述高压PMOS功率管的漏极相连。
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