[实用新型]一种双面镀膜钝化电池有效
| 申请号: | 201220085892.6 | 申请日: | 2012-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN202601625U | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
| 发明(设计)人: | 沈华苗 | 申请(专利权)人: | 宁波晶晟新能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 315450*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双面 镀膜 钝化 电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种电池,具体是涉及一种双面镀膜钝化电池。
背景技术
太阳能电池主要供家庭和工业上作为电源带动负载或给蓄电池充电。由于硅片表面比较光滑,具有较高的放射率,为了提高光的利用率,现有市场中的太阳能电池一般在硅片的表面做出一种陷光结构——制绒,利用单晶硅的各向异性腐蚀在硅片的表面生成金字塔的结构,这种结构虽然可以减小硅片在光下的反射率,现有理想的陷光结构可以使电池的反射率在13%左右,但反射率仍然较高,从而导致光能的利用率较低。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
针对现有技术存在的不足,本实用新型提供一种成本低廉、反射率强的的双面镀膜钝化电池。
(二)技术方案
为达到上述目的,本实用新型提供了一种双面镀膜钝化电池,包括本体(1),硅片(3),正面电极(4)和背电极(5);所述的本体(1)上两面均镀有一层厚度为60mm氮化硅膜(2)。
进一步、所述本体(1)正面上设置有两块正面电极,所述本体(1)的背面设置有两块背电极。
(三)有益效果
本实用新型的一种双面镀膜钝化电池可进一步降低硅片的反射率,理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右,使光能的转化效率进一步提高;可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)等缺陷,减少少子的复合;提高载流子迁移率20%左右,延长少子(少数载流子)的寿命,提高了电池的短路电流和开路电压,从而达到提高晶体硅太阳能电池的转化效率。
附图说明
图1为本实用新型的一种双面镀膜钝化电池的横截面示意图;
图2为本实用新型的一种双面镀膜钝化电池的主视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
请参见附图说明其实施过程:
如图1和图2所示,一种双面镀膜钝化电池,包括本体1,硅片3,正面电极4和背电极5,所述的本体1上两面均镀有一层氮化硅膜2,氮化硅膜2的作用是减少反射率,使光能的转化效率进一步提高;所述的氮化硅膜2厚度约为75mm,这样设计的好处是:可使折射率控制在大约2.0-2.1以内。PECVD镀膜的原理——在真空压力下,利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法镀膜的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。加在电极板上的射频电场,使反应室气体发生辉光放电,在辉光发电区域产生大量的电子。这些电子在电场的作用下获得充足的能量,它与气体分子相碰撞,使气体分子活化。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和和电离的过程,生成活性很高的各种化学基团,它们吸附在衬底上,并发生化学反应生成介质膜,副产物从衬底上解吸,随主气流由真空泵抽走。双面膜的工艺实现,将短线清洗去处磷硅玻璃后的电池片放在石墨装载框上,放入设备开始工艺(此时的工艺参数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。将镀膜后的电池片翻转后重新放在石墨装载框开始工艺。(此时的工艺参数包括气体的配比流量、反应速度以及反应功率值等特殊设置)。且在整个工艺的过程中镀一面膜时避免另一面受到干扰。对双面镀理想的SiNx:H膜后的电池片进行印刷电极,高温烧结后测试,发现双面镀膜的电池短路电流有较大的提高。
本实用新型的动力转向器高压油管具有以下优点:
本实用新型的有益效果:可进一步降低硅片的反射率,理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右,使光能的转化效率进一步提高;可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)等缺陷,减少少子的复合;提高载流子迁移率20%左右,延长少子(少数载流子)的寿命,提高了电池的短路电流和开路电压,从而达到提高晶体硅太阳能电池的转化效率。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





