[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201220084218.6 | 申请日： | 2012-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN202564374U | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 霍介光 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括一个或多个像素单元与外围电路区域，每个像素单元包括感光区域与像素电路区域，其中所述感光区域的表面高于所述像素电路区域与所述外围电路区域的表面。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区域的表面比所述像素电路区域与所述外围电路区域的表面至少高1000埃。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区域呈台状凸起。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述台状凸起的感光区域的侧面相对于其底面的斜率小于90度。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括钝化层以及所述钝化层中的一层或多层金属互连，其中，所述感光区域的表面高于所述一层或多层金属互连中的最底层金属互连的底部。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述外围电路区域与所述像素电路区域的表面平齐。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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