[实用新型]向上成膜磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201220074712.4 | 申请日： | 2012-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN202626279U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 王进东 | 申请（专利权）人： | 江苏宇天港玻新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 龚拥军 |
| 地址： | 223100 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 向上 磁控溅射 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种向上成膜磁控溅射装置，包括镀膜室，其特征在于，所述镀膜室中具有上部腔体、下部腔体、溅射靶材和基片，所述溅射靶材位于所述上部腔体和所述下部腔体之间并靠近所述下部腔体的一侧，所述基片位于所述溅射靶材与所述上部腔体之间，所述溅射靶材材料被溅射后向上成膜于所述基片的靠近所述溅射靶材的一侧。
2.如权利要求1所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，还包括与镀膜室连接为镀膜室内部提供惰性气体的气体存储装置。
3.如权利要求1所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，还包括外部电源控制部分。
4.如权利要求1所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，所述溅射靶材为圆形或方形靶材。
5.如权利要求1所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，所述基片为玻璃。
6.如权利要求1所述的向上成膜磁控溅射装置，其特征在于，所述基片可根据实际需要调节位置和发生移动。
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