[实用新型]改善热传导的LED芯片有效
| 申请号： | 201220068780.X | 申请日： | 2012-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN202534678U | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郭文平;黄慧诗;谢志坚;柯志杰;邓群雄 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/02;H01L33/64 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214111 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 热传导 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善热传导的LED芯片，包括LED芯片本体（11），所述LED芯片本体（11）包括衬底（4）及位于所述衬底（4）上方的P电极（7）与N电极（6）；其特征是：所述衬底（4）对应设置P电极（7）与N电极（6）另一侧表面镀有反射层（3），所述反射层（3）上设有键合层（2）；衬底（4）通过键合层（2）与导热基板（1）键合连接。
2.根据权利要求1所述的改善热传导的LED芯片，其特征是：所述反射层（3）为金属层、合金层、DBR全反射膜中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的改善热传导的LED芯片，其特征是：所述衬底（4）的厚度为10~50μm。
4.根据权利要求1所述的改善热传导的LED芯片，其特征是：所述衬底（4）为蓝宝石基板。
5.根据权利要求1所述的改善热传导的LED芯片，其特征是：所述衬底（4）上设有外延发光层（5），所述外延发光层（5）包括位于衬底（4）上的N型氮化镓层、位于N型氮化镓层上的量子阱及位于所述量子阱上的P型氮化镓层；P电极（7）与P型氮化镓层电连接，N电极（6）与N型氮化镓层电连接。
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