[实用新型]一种异质结太阳电池

权利要求书

1.一种异质结太阳电池，其特征在于，包括以N型单晶硅材料制成的衬底(5)，所述衬底(5)正面侧依次沉积本征层(4)、P型非晶硅薄膜层(3)、透明导电氧化物薄膜层(2)和正面金属电极(1)；所述衬底(5)背面侧依次沉积本征层(4)、N型非晶硅薄膜层(6)，透明导电氧化物薄膜层(2)和背面金属电极(7)；所述的本征层(4)是本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层，厚度为3～20nm。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述本征层(4)通过等离子增强化学气相沉积的方法生长在所述衬底(5)正面和背面。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述的本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层的光学带隙能在1.7～2.4eV的范围内调节。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜层(2)为掺锡氧化铟薄膜层或掺钨氧化铟薄膜层。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述正面金属电极(1)和背面金属电极(7)均为银电极。