[实用新型]减电压保护电路及使用其的开关驱动装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种减电压保护电路及使用其的开关驱动装置。

背景技术

图8是表示具备减电压保护电路的开关驱动装置的一现有例的图。本现有例的开关驱动装置100是通过进行开关SW的导通/断开控制，来控制负载的驱动电流I的半导体集成电路装置，且包括：接收电源电压VCC的输入而进行动作的低电位区块101，接收比电源电压VCC高的启动电压VB的输入而进行动作的高电位区块102，使信号进行电平转换而从低电位区块101向高电位区块102传递的电平转换器103，及监视电源电压VCC并生成减电压保护信号S1的减电压保护电路104。

另外，作为与所述内容相关联的现有技术的一例，可列举专利文献1。

【背景技术文献】

【专利文献】

【专利文献1】日本专利特开2011-18892号公报(图11)

实用新型内容

然而，现有构成的减电压保护电路104中包括：电压监视部104a，其监视电源电压VCC是否低于特定的阈值电压Vth并生成减电压保护信号S1；及过滤器部104b，其在电源电压VCC低于特定的阈值电压Vth的状态持续特定的屏蔽时间Tm(例如10μs)时将减电压保护信号S1从正常时的逻辑电平(例如低电平)切换为异常时的逻辑电平(例如高电平)。

在减电压保护信号S1从正常时的逻辑电平切换为异常时的逻辑电平时，低电位区块101驱动电平转换器103而向高电位区块102传递重设信号V2。从电平转换器103接收到重设信号V2的传递的高电位区块102将输出信号OUT设为低电平而使开关SW断开。

此处成为问题的是电平转换器103由高耐压晶体管Tr1及Tr2形成的情况。高耐压晶体管Tr1及Tr2的导通阈值电压Vth(DMOS(Domplementary Metal Oxide Semiconductor，互补型金属氧化物半导体))大幅地高于形成低电位区块101的低耐压晶体管的导通阈值电压Vth(MOS(Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体))。例如，一般的低耐压晶体管(15V耐压)的导通阈值电压Vth(MOS)为0.6V，与此相对，高耐压晶体管Tr1及Tr2(600V耐压)的导通阈值电压Vth(DMOS)为5V。

因此，现有构成的减电压保护电路104中存在如下问题：当电源电压VCC在比过滤器部104b的屏蔽时间Tm短的时间内低于高耐压晶体管Tr1及Tr2的导通阈值电压Vth(DMOS)时，即便在经过屏蔽时间Tm后将减电压保护信号S1从低电平上升为高电平，也无法利用电平转换器103使高耐压晶体管Tr2导通，从而无法向高电位区块102传递重设信号V2(参照图9的时刻t6～t7)。

高电位区块102接收与电源电压VCC不同的另一系统的启动电压VB而进行动作，因此在电源电压VCC陷入减电压状态后会持续一段时间的输出信号OUT的生成动作。因此，当在电源电压VCC中产生急遽且大幅的降低而无法向高电位区块102传递重设信号V2时，有可能持续保持开关SW导通的状态，从而流经开关SW或负载的驱动电流I成为过电流状态，并有可能导致开关SW或负载的损坏。

本实用新型鉴于由本案的发明人所发现的所述问题，其目的在于提供一种即便在电源电压中产生急遽且大幅的降低的情况下也可确实地进行减电压保护的减电压保护电路、及使用其的开关驱动装置。

为了达成所述目的，本实用新型的减电压保护电路设为如下的构成(第一构成)，即，包括：第一电压监视部，其监视电源电压是否低于第一阈值电压并生成第一减电压保护信号；第二电压监视部，其监视所述电源电压是否低于比所述第一阈值电压低的第二阈值电压并生成第二减电压保护信号；过滤器部，其在所述电源电压低于所述第一阈值电压的状态持续特定的屏蔽期间时将所述第一减电压保护信号从正常时的逻辑电平切换为异常时的逻辑电平；及逻辑门，其根据所述第一减电压保护信号与所述第二减电压保护信号而生成第三减电压保护信号。

另外，在包含所述第一构成的减电压保护电路中，可设为如下的构成(第二构成)，即，所述逻辑门在所述第一减电压保护信号与所述第二减电压保护信号的双方为正常时的逻辑电平时，将所述第三减电压保护信号设为正常时的逻辑电平，在所述第一减电压保护信号与所述第二减电压保护信号的至少一方为异常时的逻辑电平时，将所述第三减电压保护信号设为异常时的逻辑电平。