[实用新型]高效三结太阳能电池有效
| 申请号： | 201220055594.2 | 申请日： | 2012-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN202503000U | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 毕京锋;林桂江;刘建庆 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/078;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高效 太阳能电池 | ||
1.高效三结太阳能电池，其包括：
生长衬底，其具有两个抛光的表面；
底电池，由应变补偿超晶格构成，倒装生长于生长衬底的背面，具有一第一带隙，其等效晶格常数与生长衬底的晶格常数匹配；
中电池，形成于生长衬底正面上，其具有大于第一带隙的第二带隙，其晶格常数与生底衬底匹配；
顶电池，形成于中电池之上，其具有一大于第二带隙的第三带隙，且晶格常数与中电池晶格常数匹配。
2.根据权利要求1所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：还包括一分布式布拉格发射层，形成于底电池的下方。
3.根据权利要求1所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：还包括一支撑衬底，其位于底电池的下方，用于支撑太阳能电池。
4.根据权利要求1所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：所述底电池的带隙为0.9eV～1.1 eV，中电池的带隙为1.4~1.5eV，顶电池的带隙为1.8~1.9eV。
5.根据权利要求1所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：所述生长衬底的厚度为200~250微米。
6.根据权利要求5所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：所述生长衬底的厚度为200微米。
7.根据权利要求1所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：所述生长衬底为GaAs衬底。
8.根据权利要求7所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：所述第所述顶电池为InGaP子电池；底电池的基区由应变补偿GaAsP/GaAs/GaInAs超晶格构成，其等效晶格常数与GaAs匹配。
9.根据权利要求7所述的高效三结太阳能电池，其特征在于：所述底电池的等效晶格常数为5.65 ?～5.66 ?。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
