[实用新型]硅基石墨烯场效应晶体管有效
| 申请号： | 201220047511.5 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN202633318U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 况维维;刘兴舫;唐治;陈中 | 申请（专利权）人： | 北京中瑞经纬科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 100083 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基石 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基石墨烯场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极电介质层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述低阻硅层是p型或n型的。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述低阻硅层由具有（111）或（100）或（110）晶面的硅衬底构成。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：所述栅极电介质层由氧化所述低阻硅层的一部分而形成的二氧化硅层、淀积在所述低阻硅层上的二氧化硅层、或者淀积在所述低阻硅层上的高k电介质层构成。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的晶体管，其特征在于：所述石墨烯层由石墨烯二维晶体材料构成。
6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于：所述石墨烯层由碳化硅膜热分解而形成的石墨烯二维晶体材料构成。
7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于：所述石墨烯二维晶体材料的层数由所述碳化硅膜的碳硅双原子层数决定。
8.根据权利要求7所述的晶体管，其特征在于：所述碳化硅膜的厚度为1～100个碳硅双原子层。
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