[实用新型]一种被动矩阵式液晶显示器有效
申请号: | 201220040784.7 | 申请日: | 2012-02-08 |
公开(公告)号: | CN202453609U | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 赵云;侯文波;李峰;谢雄才;何基强 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 被动 矩阵 液晶显示器 | ||
技术领域
本实用新型涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种被动矩阵式液晶显示器。
背景技术
液晶显示技术作为新一代的显示技术,已经广泛应用到人们生活和工作的各个领域。而液晶液晶显示器按照控制方式的不同,可分为被动矩阵式LCD和主动矩阵式LCD。现有技术中被动矩阵式LCD显示器受其显示模式、器件构造的影响,对比度和视角范围都不能达到理想状态。
参考图1,图1为现有技术中被动矩阵式LCD显示器结构的剖面示意图。从图1中可以看出,该显示器包括相对设置的第一玻璃基板和第二玻璃基板,第一玻璃基板和第二玻璃基板上分别设置有间隔排列的像素电极。其中,以负像显示为例,各像素电极间的间隔区在被动矩阵式LCD显示器处于ON状态时,会存在一定程度的漏光现象,尤其是在进行大视角观察时,漏光现象更为严重,从而导致LCD显示器的视角范围下降;而当被动矩阵式LCD显示器切换到OFF状态时,各像素电极间的间隔区仍会存在较大的透光率,产生漏光现象,从而导致OFF状态时的显示屏不够黑,降低了该LCD显示器的对比度。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种被动矩阵式液晶显示器,该显示器具有较高的对比度和较大的视角范围。
为解决上述问题,本实用新型实施例提供了如下技术方案:
一种被动矩阵式液晶显示器,包括:相对设置的第一玻璃基板、第二玻璃基板以及位于所述第一玻璃基板和第二玻璃基板之间的液晶层,所述第一玻璃基板朝向液晶层一面上设置有间隔排列的第一像素电极,所述第二玻璃基板朝向液晶层一面上设置有间隔排列的第二像素电极,还包括:设置在所述第一像素电极的各个间隔区的不透光的绝缘介质层;和/或设置在所述第二像素电极的各个间隔区的不透光的绝缘介质层。
优选的,所述绝缘介质层的宽度略大于或等于所述像素电极的各个间隔区的间距。
优选的,所述像素电极为ITO电极。
优选的,所述绝缘介质层为黑色矩阵层,其材质为具有高光学密度值的有机材料。
优选的,所述绝缘介质层的厚度在的范围内。
优选的,所述显示器还包括:设置于所述第一玻璃基板背离液晶层一面上的第一偏光片,和设置于所述第二玻璃基板背离液晶层一面上的第二偏光片;以及与所述第二偏光片相连接且背离所述第二玻璃基板的背光源。
与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
本实用新型所提供的被动矩阵式液晶显示器中,包括设置在所述第一像素电极的各个间隔区的不透光的绝缘介质层;和/或设置在所述第二像素电极的各个间隔区的不透光的绝缘介质层,该绝缘介质层可以将射到所述各像素电极的各个间隔区内的光线遮挡住,从而降低了所述各像素电极的各个间隔区处的透光率,减弱了被动矩阵式液晶显示器中所述各像素电极各个间隔区内的漏光现象,进而提高了所述液晶显示器的对比度,同时增大了所述液晶显示器的视角范围。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中被动矩阵式LCD显示器结构的剖面示意图;
图2为现有技术中被动矩阵式LCD显示器中显示区域的平面示意图;
图3为本实用新型实施例中所提供的被动矩阵式LCD显示器结构的剖面示意图;
图4为本实用新型实施例中所提供的被动矩阵式LCD显示器的另一种结构的剖面示意图;
图5为本实用新型实施例中所提供的被动矩阵式LCD显示器中显示区域的结构示意图;
图6为本实用新型实施例中所提供的被动矩阵式LCD显示器中显示区域的平面示意图。
图1~图6中示出了:第一玻璃基板1、第一偏光片2、第一像素电极3、像素电极的间隔区4、液晶层5、第二玻璃基板6、第二偏光片7、第二像素电极8、背光源9、像素区域10、绝缘介质层11。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利半导体有限公司,未经信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220040784.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。