[实用新型]基板防凹陷真空吸平装置

说明书

技术领域

本實用新型涉及一种基板防凹陷真空吸平裝置，特別是一種氣醴導引單元用以引導排除真空載台中央處凹槽下陷之設計。 

背景技术

覆晶技术(Flip-Chip)，亦有学理上称「倒晶封装」或「倒晶封装法」，属于芯片封装技术的其中一种方法，此种方法有别于过去芯片封装的方式，覆晶技术的发展起源于1960年代，当时由国际商业机器(IBM)公司最早开始应用，将大型主机板制造程序上应用覆晶技术，由于覆晶方式比其它诸如球格数组(BGA)式封装技术相比较时，覆晶针对利用基板或衬底互相连接之形式确实在制程上较为简便，所以尔后被其它产业广泛运用，目前覆晶技术已被普遍应用在微处理器封装制造，也成为绘图卡和计算机芯片组装等产业之主流封装技术，并已有效被使用于笔记型计算机主机板或其它可携式产品上。 

传统技术主要是将芯片置放于基板衬垫(chip pad)上，再用打线技术(wire bonding)将芯片与基板上之连结点连接，覆晶封装技术则是一种将IC集成电路(IC)与基板相互连接的先进封装技术，制造时首先将芯片连接点先预设凸块(bump)，然后芯片翻转(flip)后将凸块与基板直接连结，透过金属导体与基板之间的接合点相互连接的封装技术，可以将晶体管直接覆盖在晶粒上，大幅缩小晶粒尺寸，覆晶制造技术使用的基板包括：陶瓷、硅芯片、高分子积层板以及玻璃等，由于此技术可将晶体管直接加以覆盖，使其应用范围扩及高阶计算机、笔记型计算机主机板、外接式记忆卡或储存卡、军事精密设备、个人无线通讯产品、电子钟表、液晶显示器等，比如当覆晶技术应用于液晶显示器制造时，由于基板将会是玻璃，所以也被惯称为玻璃上的芯片(Chip on Glass；COG)。 

目前各种不同尺寸之基板在做检测时，设备制造商会于真空载台表面处四边周围设置位置对称且呈数组状排列之通气孔，透过这些整齐排列之通气孔进行气体导引，经此能针对需要检测之基板待测区进行必要检查测试程序，然而由于通气孔进气时基板与载台之间空间狭小，且内部空间气体压力极高，当真空载台进行吸覆基板料片程序时，由于真空载台中央处无设置通气孔之区域呈真空状态，进而使真空载台中央处之区域凹陷使锡球与真空载台接触产生损伤甚至破裂。 

发明内容

本实用新型的目的系于真空载台表面处设置与凹槽互相连接之气体导引单元，利用气体导引单元之引导路径与凹槽之气体信道路径互相导通，当真空载台吸覆基板四边周围之料片时，基板中央处无需吸覆之检测区域将达成气体压力平衡，避免中央处之凹陷锡球与真空载台接触产生损伤甚至破裂，增加基板检测精密度及产品测试良率，有效降低制造成本且更易于量产。 

为实现上述的目的，本实用新型提出一种基板防凹陷真空吸平装置，包括：一基板、一真空载台及一气体导引单元；其基板具有一锡球区及一电路区；真空载台中央处设置一凹槽，该真空载台周围处设置复数气孔，且凹槽为非真空区域；气体导引单元设置于该真空载台表面处且与该凹槽之气体信道路径互相连接导通，其中该气体导引单元可分别设置于凹槽内部区域或外部气孔间隙区域。 

透过真空载台表面处设置与凹槽互相连接之气体导引单元，当检测机台操作者利用真空载台吸覆基板料片进行检测程序时，透过气体导引路径与凹槽之气体信道路径互相导通，藉此设计使基板无需吸覆之检测区域达成气体压力平衡，通常无需吸覆之检测区域皆为集成电路锡球(bump)区，因此必须特别避免造成锡球区毁损破坏，经本创作之设置将能确实有效避免芯片基板在检测时造成损坏。 

附图说明

图1是本创作第一实施例之立体示意图。 

图2是本创作第一实施例之真空载台及气体导引单元俯视示意图。 

图3是本创作第一实施例之侧视示意图。 

图4是本创作第二实施例之真空载台及气体导引单元俯视示意图。 

附图标号说明： 

1    基板检测装置        11    基板        111    真空吸平区 

112  电路区              12    真空载台    121    凹槽 

122  气孔                13    气体导引单元 

具体实施方式