[实用新型]斜坡补偿电路

权利要求书

1.一种斜坡补偿电路，用于DC-DC开关电源中，该DC-DC开关电源包括一个功率管，所述斜坡补偿电路包括：

电压生成电路，用于产生一个逐渐上升的电压；

电压控制电路，与所述电压生成电路连接，用于根据一个时钟信号周期性地选通所述电压生成电路产生的电压，并周期性地释放该电压；

电流输出电路，与所述电压控制电路连接，用于接受所述电压控制电路的输出电压并输出斜坡补偿电流，所述斜坡补偿电流波形呈锯齿形。

2.如权利要求1所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电压生成电路包括一个电流源和一个电容，所述电流源用于对电容充电，以该电容的一个高电位端作为该电压生成电路的输出端。

3.如权利要求1所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电压生成电路为三角波发生电路。

4.如权利要求2所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电压控制电路包括第二NMOS场效应晶体管(N12)，其源极、漏极分别连接所述电容的两端并作为该电压控制电路的两个输出端，其栅极接受所述时钟信号，用于选通所述电压生成电路产生的电压信号。

5.如权利要求2所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电压控制电路包括第二PMOS场效应晶体管(P22)，其源极、漏极分别连接所述电容的两端并作为该电压控制电路的两个输出端，其栅极接受所述时钟信号，用于选通所述电压生成电路产生的电压信号。

6.如权利要求4所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电流输出电路包括第一NMOS场效应晶体管(N11)，其源极与所述第二NMOS场效应晶体管(N12)的源极连接并接地，其栅极与该第二NMOS场效应晶体管(N12)漏极连接，其漏极作为输出端输出所述斜坡补偿电流。

7.如权利要求5所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电流输出电路包括第一PMOS场效应晶体管(P21)，其源极与所述第二PMOS场效应晶体管(P22)的源极连接并连接至一个外接电压源，其栅极与该第二PMOS场效应晶体管(P22)的漏极连接，其漏极作为输出端输出所述斜坡补偿电流。

8.如权利要求4至7中任一项所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述斜坡补偿电路还包括一个反相器，所述时钟信号由所述DC-DC开关电源的功率管的栅极获得的时钟信号输入至该反相器而产生。

9.如权利要求1至7中任一项所述的斜坡补偿电路，其特征在于，它还包括一个电流镜电路，其控制端连接所述电流输出电路的输出端，用于复制所述斜坡补偿电流。

10.如权利要求9所述的斜坡补偿电路，其特征在于，在所述电流镜电路控制端和所述电流输出电路的输出端之间还连接有一个开关。

11.如权利要求9所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电流镜电路由第三、第四PMOS场效应晶体管(P11、P12)构成，该第三、第四PMOS场效应晶体管(P11、P12)的栅极连接在一起并连接至该第三PMOS场效应晶体管(P11)的漏极，该第三、第四PMOS场效应晶体管(P11、P12)源极分别与外接电压源连接，该第三PMOS场效应晶体管(P11)的漏极与所述电流输出电路输出端连接，该第四PMOS场效应晶体管(P12)的漏极输出复制后的电流。

12.如权利要求9所述的斜坡补偿电路，其特征在于，所述电流镜电路由第三、第四NMOS场效应晶体管(N21、N22)构成，该第三、第四NMOS场效应晶体管(N21、N22)的栅极连接在一起并连接至该第三NMOS场效应晶体管(N21)的漏极，该第三、第四NMOS场效应晶体管(N21、N22)源极均接地，该第三NMOS场效应晶体管(N21)的漏极与所述电流输出电路输出端连接，该第四NMOS场效应晶体管(N22)的漏极输出复制后的电流。