[实用新型]一种用于等离子体处理装置的聚焦环有效
| 申请号： | 201220027711.4 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN202405228U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 凯文·佩尔斯 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 等离子体 处理 装置 聚焦 | ||
1.一种应用于等离子体处理装置的聚焦环，所述聚焦环设置于载片台上，包围位于所述载片台上的基片，其特征在于，所述聚焦环的上表面上有若干个突起，所述突起在竖直方向上的高度至少高于所述基片的下表面。
2.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述聚焦环的上表面在竖直方向上的高度低于所述基片的下表面。
3.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，在所述聚焦环上设置有若干个凹部，所述突起具有一和所述凹部相配合的接插头。
4.根据权利要求3所述的聚焦环，其特征在于，所述凹部的表面设置有第一螺纹，所述接插头表面设置有第二螺纹，其中，所述第一螺纹和所述第二螺纹相互配合。
5.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述突起是和聚焦环一体成型制造而成的。
6.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述突起粘合在所述聚焦环上表面上。
7.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述突起的宽度的取值范围为1cm，所述突起的面积的取值范围为1cm2。
8.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述突起的材料包括碳化硅、氧化硅、硅。
9.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述突起的端部呈圆滑的圆头形状。
10.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于，所述突起的端部在内侧边缘部具有位置低于其表面的台阶部。
11.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括权利要求1～10任一项所述的聚焦环。
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