[实用新型]一种用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃有效
| 申请号: | 201220024838.0 | 申请日: | 2012-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN202513161U | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
| 发明(设计)人: | 金良茂;王芸;甘治平;彭程;王东;张家林;单传丽;石丽芬;邹上荣 | 申请(专利权)人: | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048 |
| 代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 倪波 |
| 地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 晶硅光伏 电池 组件 封装 超白浮法 玻璃 | ||
技术领域
本实用新型涉及晶硅光伏电池组件用超白浮法玻璃,特别是用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法盖板玻璃。
背景技术
太阳能利用技术是本世纪能源领域重点研究的一个热门方向,太阳能光伏产业正以较快的速度增长,但是目前光伏发电难以推广的一个实际问题是价格太高。因此,要降低太阳能发电的成本,关键是要降低光伏组件的成本,目前大规模生产的主要是晶硅太阳电池,晶硅太阳电池组件封装必须用到盖板玻璃,现在普遍采用的是一面压有较深花纹的超白压花玻璃,这种超白压花玻璃的制造是在玻璃板成型后,但玻璃尚未硬化时,用带有特殊花纹的钢棍碾压玻璃表面,形成具有一定形状的花纹玻璃,制作工艺复杂,成本高。使用这种超白压花玻璃的本意是想利用光在花纹中的陷光来增加透射,理论上是可行的,但是,在光伏组件的生产中,玻璃上压花的那个面不是朝向太阳的,而是朝向电池板,并且和EVA胶片粘在一起,使得压花玻璃应有的高透光率大打折扣。平板超白浮法玻璃与超白压花玻璃相比,虽然制作工艺简单、成本低,但是它的透光率低、功率增加值不高,整体指标比压花玻璃差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种成本低,制作工艺简单,透过率高的用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃,旨在解决现有超白压花玻璃成本高、制作工艺复杂以及平板超白浮法玻璃透光率偏低的问题。
本实用新型的目的是通过以下技术方案予以实现的,一种用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃,包括两侧表面均为平面的超白浮法玻璃基板,其特征在于:所述超白浮法玻璃基板的一侧表面覆有减反射膜。
本实用新型进一步的技术方案是,所述减反射膜所用材料为纳米多孔二氧化硅、纳米多孔氧化铝、纳米多孔氧化钛、纳米多孔氧化锆的一种或几种混合。
优选地,所述减反射膜的折射率为1.1~1.4。
优选地,所述减反射膜的厚度为80~180nm。
本实用新型的有益效果:本实用新型通过涂覆减反射膜弥补了现有光伏电池组件封装普遍采用超白压花玻璃成本高、制作工艺复杂的不足,同时解决了现有平板超白浮法玻璃透光率偏低的问题,本实用新型具有成本低,制作工艺简单,性价比高,透过率高,耐久性好的优点,能够增加光伏组件输出功率,便于大规模工业化推广。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图中:1-超白浮法玻璃基板,2-减反射膜。
具体实施方式
本实用新型所提供的一种用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃,包括两侧表面均为平面的超白浮法玻璃基板1,所述超白浮法玻璃基板1的一侧表面覆有减反射膜2,所述减反射膜2所用材料为纳米多孔二氧化硅、纳米多孔氧化铝、纳米多孔氧化钛、纳米多孔氧化锆的一种或几种混合,所述减反射膜2的折射率为1.1~1.4,所述减反射膜2的厚度为80~180nm。
实施例一
一种用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃,包括超白浮法玻璃基板1,超白浮法玻璃基板1的两侧表面均为平面,减反射膜2涂覆在超白浮法玻璃基板1的一侧表面。减反射膜2的涂层材料是多孔纳米二氧化硅,膜层厚度为118nm,折射率为1.27。
实施例二
一种用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃,包括超白浮法玻璃基板1,超白浮法玻璃基板1的两侧表面均为平面,减反射膜2涂覆在超白浮法玻璃基板1的一侧表面。减反射膜2的涂层材料是多孔纳米氧化铝和多孔纳米氧化锆的复合膜层,膜层厚度为80nm,折射率为1.4。
实施例三
一种用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃,包括超白浮法玻璃基板1,超白浮法玻璃基板1的两侧表面均为平面,减反射膜2涂覆在超白浮法玻璃基板1的一侧表面。减反射膜2的涂层材料是多孔纳米氧化钛,膜层厚度为180nm,折射率为1.1。
实施例四
一种用于晶硅光伏电池组件封装的超白浮法玻璃,包括超白浮法玻璃基板1,超白浮法玻璃基板1的两侧表面均为平面,减反射膜2涂覆在超白浮法玻璃基板1的一侧表面。减反射膜2的涂层材料是多孔纳米氧化硅、纳米多孔氧化钛以及纳米多孔氧化铝的复合膜层,膜层厚度为125nm,折射率为1.23。
上述实施例仅是本实用新型的较佳实施方式,详细说明了本实用新型的技术构思和实施要点,并非是对本实用新型的保护范围进行限制,凡根据本实用新型精神实质所作的任何简单修改及等效结构变换或修饰,均应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





