[实用新型]半导体器件铜线焊接铜球保护装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置。

背景技术

半导体器件的芯片和管脚的连接，以往基本采用金线方式，但随国际金价飙升，金线所占半导体器件的成本比重也随之增加很多，导致器件制造成本居高不下，影响企业竞争力。摆在企业面前的问题是怎样用其它廉价线材生产出性能更好，成本更低的半导体器件就变的非常重要，铜线因其导电性能好，和铝可形成共键焊接，成为一种很好的替代金线选择，但铜线在高压打火成型过程中会氧化，随之硬度变高，球形不良，会对芯片焊垫结构造成损伤。怎么使球不氧化，球形良好成为一个很重要的必需克服问题。

发明内容

本发明提供一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，该保护装置不仅克服了半导体器件采用铜线会被氧化的技术难题，使半导体器件采用铜线焊接成为一种可能，而且结构简单，有利于铜线更好的焊接，使用效果好。

本发明的技术方案在于：一种半导体器件铜线焊接铜球保护装置，其特征在于：该保护装置包括氢氮混合配气装置，所述氢氮混合配气装置的混合气输出端经连接气管与设置在焊线机打火装置旁侧的毛细管相连接，所述毛细管经固定座与焊线机打火装置固连。

上述连接气管上还设置有流量计。

上述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=90~95：5~10。作为一种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=95：5。

另外，本实用新型还公开了一种半导体器件铜线焊接铜球保护方法，其特征在于：在焊线机打火装置旁侧安装毛细管，并使毛细管对准打火烧球位置，当高压对铜线放电，铜线尖端因高压融化成球，同时毛细管吹出氢氮混合气，以使铜球与空气隔开，避免被氧化。

上述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=90~95：5~10。作为一种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=95：5。

本发明的优点在于：该保护装置解决了半导体器件仅采用金线焊接的技术瓶颈，克服了半导体器件采用铜线会被氧化的技术难题，使半导体器件采用铜线焊接成为一种可能，降低了半导体器件的制造成本，提高企业的经济效益，具有极高的市场价值；该保护装置结构简单，有利于铜线更好的焊接，使用效果好。

附图说明

图1是本发明实施例1的结构示意图。

图中：1氢氮混合配气装置  2连接气管  3焊线机打火装置  4毛细管  5固定座  6流量计。

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。

参看附图1，本发明的半导体器件铜线焊接铜球保护装置，该保护装置包括氢氮混合配气装置1，所述氢氮混合配气装置1的混合气输出端经连接气管2与设置在焊线机打火装置3旁侧的毛细管4相连接，所述毛细管4经固定座5与焊线机打火装置3固连。这里所述的固定座5为固定安装架。

上述连接气管2上还设置有流量计6。

上述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=90~95：5~10。作为一种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=95：5。

本发明的半导体器件铜线焊接铜球保护方法，在焊线机打火装置旁侧安装毛细管，并使毛细管对准打火烧球位置，当高压对铜线放电，铜线尖端因高压融化成球，同时毛细管吹出氢氮混合气，以使铜球与空气隔开，避免被氧化。

上述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=90~95：5~10。作为一种优选方案，所述氢氮混合气各组分的体积比为：N₂：H₂=95：5。

本发明不局限上述最佳实施方式，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。