[实用新型]变电站直流系统级差配合测试装置有效

专利信息
申请号: 201220022703.0 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN202453445U 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 徐贵;马延强;王浩彬;崔永中 申请(专利权)人: 徐贵;河北创科电子科技有限公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 邯郸市久天专利事务所 13117 代理人: 薛建铎
地址: 014030 内蒙古自治*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 变电站 直流 系统 级差 配合 测试 装置
【权利要求书】:

1.变电站直流系统级差配合测试装置,由电流传感器、电流放大器、微处理器、光电耦合器和IGBT模块组成,微处理器还配备有按键及显示部分,其特征在于:IGBT模块经电流传感器分别接变电站直流系统待测馈线回路的待测点断路器下口的“+”、“-”输出端,微处理器通过光电耦合器和IGBT模块控制变电站直流系统待测馈线回路通断,电流传感器将检测到的待测馈线回路的测试电流信号通过电流放大器传递给微处理器进行数据处理分析,由配备的按键及显示部分实时显示测试结果,用于判断变电站直流系统待测馈线回路各级断路器间级差配合是否满足选择性的要求。

2.根据权利要求1所述的变电站直流系统级差配合测试装置,其特征在于:所述的IGBT模块的型号为FZ3600R12KE3,3600A 1200V;光电耦合的型号为G3VM-61BR型MOS-FET继电器,其电流负载能力2.5A,0.1?导通电阻,用于隔离驱动IGBT模块;电流传感器为型号TBC2500A,输入0-2500A,输出0-5V的霍尔电流传感器;电流放大器采用运放LM358;微处理器型号为Atmega128,具有128K的片内FLASH,4K片内SRAM,微处理器配备型号为DMT64480T056的带串行USART接口的智能显示终端加5.7吋触摸屏的按键及显示部分,变电站直流系统待测馈线回路的待测点断路器下口的“+”输出端穿过电流变送器TBC2500A与IGBT模块FZ3600R12KE3的C极连接,IGBT模块FZ3600R12KE3的E极连接变电站直流系统待测馈线回路的待测点断路器下口的“-”输出端,而构成测试主回路;电流传感器TBC2500A穿心于“+”输出端与IGBT模块FZ3600R12KE3的C极的的连接线,其二次信号输出连接信号调理电流运放LM358的同相输入端,电流运放LM358输出端连接微处理器Atmega128一个A/D输入脚而构成电流采样回路;微处理器Atmega128通过I/O脚和光耦MOS-FET继电器G3VM-61BR的输入相连, 光耦MOS-FET继电器G3VM-61BR输出连接IGBT模块FZ3600R12KE3的控制G极,而构成测试控制回路;微处理器Atmega128串口1的RXD1、TXD1脚连接智能显示终端DMT64480T056的串行USART接口,构成按键及显示回路,完成按键操作和屏幕显示功能。

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