[实用新型]充电控制电路、耗材芯片及成像系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及成像装置技术，尤其涉及一种充电控制电路、耗材芯片及成像系统。

背景技术

铁电随机存储器(Ferroelectric Random Access Memory，简称FRAM)是一种常用的高速非易失性存储器。成像装置可对集成有FRAM的耗材芯片在线进行高速读写，实现数据的非易失存储。但由于FRAM价格较高，生产线有限等因素，限制了FRAM在成像装置耗材等领域的推广应用。

为以较低成本实现数据的非易失性存储，现有技术在成像装置中，采用SRAM、价格较低的非易失性存储器(如电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory，简称EEPROM)或闪存(FLASH)等)以及包括电容的充电电路相互配合的技术。该现有技术为每个耗材芯片增设EEPROM或FLASH以及充电电路；当成像装置上电并对一耗材芯片的SRAM进行读写控制的同时，为各耗材芯片的充电电路的电容充电；当成像装置掉电时，由该耗材芯片对应的充电电路的电容为该耗材芯片供电，该耗材芯片将其SRAM中存储数据转存到EEPROM或FLASH中，由此实现数据的非易失存储。

成像装置与多个耗材芯片之间采用共总线方式通信。上述现有技术在通信过程中，成像装置分时对多个耗材芯片进行读写控制(即成像装置单次仅对一耗材芯片进行读写控制)，但需同时为各耗材芯片对应的充电电路的电容充电，由此增加了成像装置的电源压降和耗电量，一方面导致没有和成像装置通信的耗材芯片对应的电容已充电能的浪费，另一方面导致和成像装置通信的耗材芯片对应的电容充电电能不足，并且如果成像装置提供电流过大会导致电源压降过大，影响成像装置与其当前需进行读写控制的耗材芯片之间的正常通信。

实用新型内容

本实用新型提供一种充电控制电路、耗材芯片及成像系统，用于提高成像装置充电电源的电能利用率。

本实用新型第一方面提供一种充电控制电路，包括：

依次连接的获取模块、比较模块、控制模块和蓄电单元；

所述蓄电单元用于为与其连接的耗材芯片提供备用电源；

所述获取模块用于获取成像装置经总线发送的控制指令；所述控制指令包括第一标识信息；所述第一标识信息与所述控制指令指向的目标耗材芯片对应；

所述比较模块用于比较所述第一标识信息与预存的第二标识信息；所述第二标识信息与所述蓄电单元连接的耗材芯片对应；

所述控制模块用于根据比较结果对所述蓄电单元进行充电控制。

一种可选的实现方式中，所述控制模块包括：

限流单元，串接在充电电源和所述蓄电单元之间；

控制单元，分别与所述限流单元和所述比较模块连接，用于在所述第一标识信息与所述第二标识信息匹配时，选通所述限流单元与所述蓄电单元之间的电连接，以对所述蓄电单元充电；否则，断开所述限流单元与所述蓄电单元之间的电连接，以停止对所述蓄电单元进行充电。

进一步可选的，所述限流单元包括：限流电阻和选择开关；所述限流电阻串接在充电电源和所述选择开关之间，所述选择开关串接在所述限流电阻和所述蓄电单元之间；

所述控制单元，分别与所述比较模块和所述选择开关连接，具体用于在所述第一标识信息与所述第二标识信息匹配时，闭合所述选择开关，以对所述蓄电单元充电；否则，断开所述选择开关，以停止对所述蓄电单元进行充电。

另一种可选的实现方式中，所述控制模块包括：

限流单元，串接在充电电源和所述蓄电单元之间；

第一控制单元，分别与所述限流单元和所述比较模块连接，用于在所述第一标识信息与所述第二标识信息匹配时，控制所述限流单元向所述蓄电单元输入第一电流，以对所述蓄电单元正常充电；否则，断开所述限流单元与所述蓄电单元之间的电连接，以停止对所述蓄电单元进行充电，或者，控制所述限流单元向所述蓄电单元输入第二电流，以对所述蓄电单元进行限速充电，所述第二电流小于所述第一电流。