[实用新型]半导体光源和发光装置有效

专利信息
申请号: 201220012636.4 申请日: 2012-01-01
公开(公告)号: CN202432315U 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 李屹;杨毅 申请(专利权)人: 深圳市光峰光电技术有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V9/14;F21V7/00;F21V14/08;F21Y113/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体 光源 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体光源,其特征在于,包括:

第一激光二极管组,该第一激光二极管组包括至少一颗激光二极管;

发光二极管组,该发光二极管组包括至少一颗发光二极管;该发光二极管组的归一化发光光谱与所述第一激光二极管组的归一化发光光谱存在交叠;

合光装置,所述第一激光二极管组和发光二极管组发出的光分别入射于该合光装置相对的两个面;

其特征在于:

发光二极管组发出的光入射到所述合光装置后分为第一光和第二光两部分;

所述第一激光二极管组发出的光透射所述合光装置,所述发光二极管组发出的第一光被所述合光装置反射后与所述第一激光二极管组发出的光合为该半导体光源的出射光束,所述发光二极管组发出的第二光透射所述合光装置;

或所述第一激光二极管组发出的光被所述合光装置反射,所述发光二极管组发出的第一光透射所述合光装置并与所述第一激光二极管组发出的光合为该半导体光源的出射光束,所述发光二极管组发出的第二光被所述合光装置反射;

所述第一光与第二光的能量比大于等于0.5且小于等于4。

2.根据权利要求1所述的一种半导体光源,其特征在于,所述第一光与第二光的能量比大于等于1且小于等于3.

3.根据权利要求1所述的一种半导体光源,其特征在于,所述合光装置为干涉滤光片,所述第一光是发光二极管组发出的光中归一化光谱不与所述激光二极管发出的光的归一化光谱交叠的部分,所述第二光是发光二极管组发出的光中归一化光谱与所述激光二极管发出的光的归一化光谱交叠的部分。

4.根据权利要求1或2所述的一种半导体光源,其特征在于,还包括第一反射膜片,用于反射第二光进入该半导体光源的出射光束。

5.根据权利要求1所述的一种半导体光源,其特征在于,所述合光装置为第一线偏振片,所述第一光是所述发光二极管组发出的光中的偏振态与所述第一激光二极管组发出的光的偏振方向垂直的部分,所述第二光是所述发光二极管组发出的光中的偏振态与所述第一激光二极管组发出的光的偏振方向平行的部分。

6.根据权利要求5所述的一种半导体光源,其特征在于,还包括第二反射膜片,用于反射第二光进入该半导体光源的出射光束。

7.根据权利要求6所述的一种半导体光源,其特征在于,所述第二反射膜片为第二线偏振片,该第二线偏振片的偏振方向与所述第一激光二极管组发出的光的偏振方向垂直。

8.根据权利要求7所述的一种半导体光源,其特征在于,还包括第二激光二极管组,该第二激光二极管组发出的光的偏振方向与所述第二线偏振片的偏振方向平行,其特征在于:

该第二激光二极管组发出的光透射所述第二线偏振片并进入该半导体光源的出射光束。

9.一种发光装置,其特征在于,包括:

用于产生激发光的激发光源,该激发光源包括如权力要求1至8所述的半导体光源;

波长转换层,用于吸收所述激发光并发射受激光。

10.根据权利要求9所述的一种发光装置,其特征在于,还包括驱动装置,用于驱动所述波长转换层使其与所述激发光周期性相对运动。

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