[实用新型]钱包防盗预警装置有效

专利信息
申请号: 201220011690.7 申请日: 2012-01-03
公开(公告)号: CN202396650U 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 王寅寅;何林 申请(专利权)人: 王寅寅
主分类号: A45C1/06 分类号: A45C1/06;A45C13/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 233010 安徽省蚌埠*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 钱包 防盗 预警 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于电子技术和安防技术领域,是关于一种钱包防盗预警装置。

背景技术

女同志的手提包内的钱包在旅游景点、公交车、商城等公共场所被盗窃的事件经常发生,轻则影响购物或游玩的心情,损失重则多数无可挽回。该预警装置实质上是一个光控报警装置,将预警装置放入到女同志的手提包内,可以有效地阻止偷窃手提包内钱包或贵重物品的事件发生。只要提包人所处的环境周围有一定光线或有灯光等条件下,一旦有人打开手提包时,预警装置便会立即发出高响度的警笛声,能够对窃贼起到很好的威慑和恐吓作用。

以下详细说明这种钱包防盗预警装置在实施过程中所涉及到的有关技术。

实用新型内容

发明目的及有益效果:该预警装置的电路实质上是一个光控报警装置,将预警装置放入到女同志的手提包内,可以有效地阻止偷窃手提包内钱包或贵重物品的事件发生。只要提包人所处的环境周围有一定光线或有灯光等条件下,一旦有人打开手提包时,预警装置便会立即发出高响度的警笛声,能够对窃贼起到很好的威慑和恐吓作用。

电路工作原理:钱包防盗预警装置由模拟音响发生集成电路IC1与电阻R1、电解电容C1、扬声器YA组成模拟警笛声音响发生器,光敏电阻RG与NPN型晶体管VT1、电阻R2组成光控开关。平时手提包未打开,在无光照的条件下,电路中的光敏电阻RG呈高电阻,电阻值≥1MΩ,NPN型晶体管VT1处于截止状态,模拟音响发生集成电路IC1无电不工作,扬声器YA不发声,此时实测整机静态耗电电流<6μA。当手提包被人打开时,光线照到光敏电阻RG上,使光敏电阻RG的电阻值立即减小到10kΩ左右,NPN型晶体管VT1即刻进入导通状态,模拟音响发生集成电路IC1得电开始工作,扬声器YA便会发出高响度“呜呜~”的警笛声。

电路中电阻R1为外接振荡电阻,增减其阻值可以改变警笛声的音调;电阻R2为有效降低静态时整机的漏电流;电解电容C1用来消除预警装置电路导通时模拟音响发生集成电路IC1工作电源的交流内阻,有利于消除因3V直流电源电压下降而内阻变大时发生啸叫,因此电解电容C1不可省略。

技术方案:钱包防盗预警装置,由3V直流电源、光控电路、模拟音响发生电路组成,其特征在于:

光控电路:由光敏电阻RG、NPN型晶体管VT1、电阻R2组成,光敏电阻RG的一端与NPN型晶体管VT1的集电极接电路正极VCC,光敏电阻RG的另一端接NPN型晶体管VT1的基极和电阻R2的一端,电阻R2的另一端接电路地GND;

模拟音响发生电路:由模拟音响发生集成电路IC1、电阻R1、扬声器YA和电解电容C1组成,模拟音响发生集成电路IC1采用的型号为LCW06-2,模拟音响发生集成电路IC1的5脚接NPN型晶体管VT1的发射极和电解电容C1的正极,电解电容C1的负极和模拟音响发生集成电路IC1的3脚接电路地GND,模拟音响发生集成电路IC1的4脚接扬声器YA的一端,扬声器YA的另一端接NPN型晶体管VT1的发射极。

3V直流电源的正极接电路正极VCC相连,3V直流电源负极接电路地GND。

附图说明

附图1是本实用新型提供一个钱包防盗预警装置的实施例电路工作原理图;在附图1中的3V直流电源的负极为电路地GND。

具体实施方式

按照附图1所示钱包防盗预警装置的电路工作原理图和附图说明,并且按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间的连接关系,以及实施方式中所述的元器件技术参数要求进行实施即可实现本实用新型。

元器件的选择及其技术参数

IC1为模拟音响发生集成电路,要求选用3模拟声报警集成电路,其型号为LCW06-2,它采用双列8脚直插塑料封装,可产生3种不同的模拟报警声响,内部集成了功率放大器,可直接驱动低阻扬声器发声,模拟音响发生集成电路IC1的1脚和2脚为外接振荡电阻,增减外接电阻的阻值可改变发声音调;其3脚接直流电源负极;4脚为音频输出端;5脚接直流电源正极;6脚和7脚为空脚;8脚为选声端;当IC1的8脚“悬空”时,可产生模拟警车电笛声;当8脚接直流电源正极时,可产生模拟消防车电笛声;当8脚接直流电源负极时,可产生模拟救护车电笛声;LCW06-2的主要参数:工作电压范围3~4.5V,工作电流<150μA,最大输出电流可达150mA;

VT1为NPN型晶体管,可选用2SC9013或3DG12、3DX201等NPN型中功率晶体管,要求放大倍数β>120;

RG为光敏电阻,可选用MG44-03型树脂封装光敏电阻,其亮电阻≤5kΩ、暗电阻≥1MΩ;

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