[发明专利]光刻胶图案修整方法

权利要求书

1.一种修整光刻胶图案的方法，所述方法包括顺序次序的下述步骤：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底在其上表面上具有一层或更多层要被图案化的层；

(b)在该一层或多层要被图案化的层上形成光刻胶图案，其中该光刻胶图案包括多个特征且由化学增强型光刻胶组合物形成，该光刻胶图案包含具有酸不稳定基团的基质聚合物；

(c)在该光刻胶图案上涂覆光刻胶修整组合物，其中该修整组合物含基质聚合物、热酸产生剂和溶剂，并且其中该修整组合物没有交联剂；

(d)加热涂覆的半导体衬底以由热酸产生剂在修整组合物中产生酸，从而导致在光刻胶图案的表面区域的光刻胶基质聚合物的极性的改变；以及

(e)使光刻胶图案与显影液接触以去除光刻胶图案的表面区域。

2.根据权利要求1的方法，其中由热酸产生剂产生的酸是氟取代的。

3.根据权利要求1或2的方法，其中光刻胶修整组合物的溶剂选自水、有机溶剂以及其混合物。

4.根据权利要求2的方法，其中光刻胶修整组合物的溶剂选自烷烃、醇、醚、酯、酮及其混合物。

5.根据权利要求1-4的任意一项的方法，其中光刻胶修整组合物的基质聚合物可溶于碱性显影剂水溶液。

6.根据权利要求1-5的任意一项的方法，其中显影液是四甲基氢氧化铵水溶液。

7.根据权利要求1-6的任意一项的方法，其中光刻胶修整组合物的基质聚合物包括选自-OH、-COOH、-SO₃H、-SiOH、羟基苯乙烯、羟基萘、磺酰胺、六氟异丙基醇、酸酐、内酯、酯、醚、烯丙胺、吡咯烷酮的官能团。

8.根据权利要求1-7的任意一项的方法，其中修整组合物进一步包括选自-OH、-NH、-SH、酮、醛、-SiX、乙烯醚以及其混合物的官能团，其中X选自卤素。

9.根据权利要求1-8的任意一项的方法，其中光刻胶图案的多个特征包括具有在修整之前1∶1或更高的负荷比且在修整后1∶3或更低的负荷比的多个线或柱。

10.根据权利要求1-9的任意一项的方法，进一步包括：

(f)在光刻胶图案和显影液接触后在被修整的光刻胶图案上形成侧壁间隔物；以及

(g)去除修整的光刻胶图案，在要被图案化的一层或多层上留下侧壁间隔物。