[发明专利]液晶显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示器件，更具体地涉及一种LCD器件，其中形成有用于密封图案的引导图案，以在形成该密封图案的过程中减少设计余量，从而可以实现窄边框(bezel)。

背景技术

近些年，随着信息社会的到来，被设置为处理和显示大量信息的显示器件已被快速开发出来。在这些显示器件中，LCD器件作为高效的平板显示(FPD)器件最近得到了发展，其制作得纤薄并且功耗低从而取代了传统的阴极射线管(CRT)。

在LCD器件中，包括阵列基板的有源矩阵型LCD吸引了大量的注意，因为有源矩阵型LCD具有高分辨率并能很好地表现动态图像，在阵列基板中，薄膜晶体管(TFT)用作能控制每个像素中电压的开/关状态的开关装置。

图1是传统液晶显示(LCD)器件的平面示意图，图2是图1的A部分的示意性截面图。

如图1中所示，LCD器件可以包括第一基板10，其上形成有用作开关装置的薄膜晶体管(TFT)Tr和像素电极50；第二基板60，其上形成有公共电极66；插入在第一基板10和第二基板60之间的LC层70；以及配置为接合第一基板10和第二基板10以防止液晶从LC层70泄漏的密封图案80。第一基板10和第二基板60可以彼此相对设置。

可以在第一基板10上限定出显示区DR和非显示区NDR。显示区DR可被配置为显示图像，而非显示区NDR可相邻于显示区DR设置。密封图案80可以设置在非显示区NDR中。

选通线(没有示出)和数据线(没有示出)可以形成在第一基板10上以使TFT Tr能进行开关操作。配置为施加信号到选通线和数据线的驱动器可以形成在第一基板10的至少一边。在这种情况下，为了连接驱动器和外部驱动电路，第二基板60可以具有比第一基板10更小的尺寸并且露出第一基板10的至少一边。

TFT Tr可以包括连接到选通线的栅极14、覆盖栅极14的栅极绝缘层20、设置在栅极绝缘层20上并包括由纯净非晶硅(a-Si)形成的有源层22a和由掺杂a-Si形成的欧姆接触层22b的半导体层22、设置在半导体层22上并且连接到数据线的源极32，和设置在半导体层22上并且与源极32分隔开的漏极34。

可以形成具有漏极接触孔42(其露出漏极34)的保护层40以覆盖TFT Tr。像素电极50可以形成在保护层40上并且通过漏极接触孔42连接到漏极34。像素电极50可以设置在由选通线和数据线的交叉所限定的每个像素区P中。

另外，黑底62、滤色器层64和公共电极66可以形成在与第一基板10相对设置的第二基板60上。黑底62可以覆盖选通线和数据线，滤色器层64可以与像素区P相对应，并且公共电极66可以被配置成与像素电极50一起形成电场。

LC层70可以设置在第一基板10和第二基板60之间，也就是说，像素电极50和公共电极66之间，并且LC层70的LC分子由于形成在像素电极50和公共电极66之间的电场会被驱动。

如上所述，密封图案80可以形成在非显示区NDR中以防止LC从LC层70泄漏并且将第一基板10和第二基板60彼此接合。密封图案80的一端可以与保护层40接触，其另一端可以与第二基板60接触。

密封图案80可以通过用滴涂器(dispenser)在第一基板10或第二基板60上涂覆密封剂而形成。

然而，密封图案80在其形成期间可能会偏离期望的位置。

密封图案80的位置偏差将稍后参照图3A和3B进一步详细描述。

首先，如图3A中所示，当用位于第一位置P01的滴涂器(没有示出)涂覆密封剂时，密封图案80可以形成在期望位置。然而，如图3B和3C中所示，当用偏离第一位置P01并位于第二位置P02或第三位置P03的滴涂器来涂覆密封剂时，在接合工艺期间可能发生由于密封剂散开而引起的偏差DV，从而密封剂80可能偏离期望位置。

考虑到这种偏差DV，要形成密封剂80的区域会增大与偏差DV一样的面积，这样就造成非显示区NDR可能扩大。也就是说，会阻碍LCD所要求的窄边框的实现。

发明内容

因此，本发明意指一种能基本上消除由于现有技术的局限性或缺点引起的一个或多个问题的液晶显示(LCD)器件。

本发明的目的是提供一种液晶显示(LCD)器件，特别是一种避免出现密封图案位置偏差的窄边框类型的液晶显示(LCD)器件。

这个目的通过独立权利要求给出的方案而实现。优选实施方式在从属权利要求中给出。