[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210599069.1 | 申请日: | 2012-12-25 |
公开(公告)号: | CN103378313A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 赵正植;赵昭英 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;张旭东 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及有机发光显示装置(OLED)及其制作方法,特别地,涉及一种光提取效率得到提高的OLED及其制作方法。
背景技术
在液晶显示器之后,以薄厚度、高清晰度和低功率驱动为特征的有机发光显示装置(OLED)作为下一代显示器已经引起越来越多的关注。反映这一当前趋势,已在广泛地进行致力于OLED的大规模生产的研究。
具体地,为了增强装置,已开发了新的发射材料,并且已研究了用于促进电子或者空穴供应的多层结构。此外,已研发了提高将内部产生的光提取到装置外部的效率的技术。
目前,通过OLED中的全内反射被阻挡而未被外面提取的光占到总发射量的70%或者更多,如果这些光被外面提取,则OLED的光效率将会显著提高。
图1是常规OLED的截面图,并且示出光沿基板110的方向穿过的底发射类型。根据图1,OLED具有如下结构:用铟锡氧化物(ITO)和/或铟锌氧化物(IZO)形成的阳极层120、有机发射层130和用金属形成的阴极层140顺序地堆叠在基板110上。
从有机发射层130发射的光在阳极层120和基板110之间的边界处实现全反射。这里,光的第一损耗量大体上占到总发射量的46%或者更多。另外,剩下的54%的透射光中,在基板110和空气之间的边界上全发射的光的第二损耗量大体上为34%或者更多。因此,在基板110的外部提取的光为从有机发射层130发射的光的发射率的20%或者更少。
OLED形成为超薄膜,并且所发射的光应该穿过该薄膜以向外部发射,使得主要的光损耗可以由全反射引起。当克服了这些问题时,OLED可以被更有效地实现。
发明内容
因此,本发明涉及一种有机发光显示装置(OLED),该有机发光显示装置中,形成在基板上的阳极被形成为具有双突起结构,以提高光提取效率。
本公开的一个目的在于提供一种OLED,所述OLED包括:基板;第一阳极层,其设置在所述基板上,并且包括多个第一突起;第二阳极层,其形成在所述第一阳极层上,并且包括多个第二突起;有机发射层,其形成在所述第二阳极层上;以及阴极层,其形成在所述有机发射层上。
本发明的另一个目的在于提供一种制造OLED的方法,所述方法包括以下步骤:在基板上形成包括多个第一突起的第一阳极层;在所述第一阳极层上形成包括多个第二突起的第二阳极层;在所述第二阳极层上形成有机发射层;以及在所述有机发射层上形成阴极层。
应当理解,本发明的上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的,且旨在提供所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解,并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分,附图示出了本发明的示例性实施方式,且与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中:
图1是常规有机发光装置(OLED)的截面图;
图2是根据本发明的一些实施方式的有机发光装置(OLED)的截面图;
图3是根据本发明的其它实施方式的OLED的截面图;
图4是根据本发明的其它实施方式的OLED的截面图;
图5A到图5E是根据本发明的一些实施方式的制造OLED的方法的截面图;
图6是根据本发明的其它实施方式的制造OLED的制法的截面图;
图7是根据本发明的其它实施方式的制造OLED的方法的截面图。
具体实施方式
将对示例性实施方式进行详细阐述,示例性实施方式的示例示出在附图中。
图2是根据本发明的一些实施方式的有机发光装置(OLED)的截面图。如图2所示,根据本发明的一些实施方式的OLED200包括基板210、第一阳极层220、第二阳极层230、有机发射层240和阴极层250。
第一突起P1和第二突起P2可形成在形成于基板210上的第一阳极层220和第二阳极层230上,使得减少全反射现象并提高光提取效率。突起P1和P2可由晶粒形成,所述晶粒通过逐渐硬化用于构成通过溅射所形成的第一阳极层220和第二阳极层230的材料来产生。晶粒的尺寸根据材料而不同,第一阳极层220和第二阳极层230可用不同的材料形成,因此,突起P1的宽度W1和P2的宽度W2被不同地形成。这里所使用的宽度W1和W2表示在突起P1和P2的底部的水平方向上的长度。
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