[发明专利]毛刺检测电路和检测毛刺的方法

权利要求书

1.一种用于检测毛刺的方法，所述方法包括：

增加第一电容器的偏置电压；

经由开关将所述第一电容器电连接到毛刺检测电路的输入端，并且利用取样时间周期T_strobe取样所述第一电容器的第一极板的输入信号；

从所述输入信号减去取样的输入信号以获得输出信号；以及

以幅度比较所述输出信号与参考信号从而检测毛刺。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括如果所述输出信号的幅度大于所述参考信号的预定幅度，则检测到毛刺。

3.根据权利要求1的方法，其中所述取样的输入信号被存储在第二电容器中。

4.根据权利要求1的方法，其中所述取样时间周期T_strobe小于毛刺时间周期T_glitch。

5.根据权利要求1的方法，其中比较所述输出信号与所述参考信号包括比较比较时间周期T_comp，且其中所述比较时间周期T_comp小于取样时间周期T_strobe。

6.一种用于校准传声器的方法，所述方法包括：

基于第一偏置电压在正常操作模式操作所述传声器；

通过经由开关将所述传声器电连接到毛刺检测电路的输入端来激活校准模式；以及

操作校准模式，其中所述校准模式包括：

增加第一电容器的偏置电压；

利用取样时间周期取样所述第一电容器的第一极板的输入信号；

使用加法器从所述输入信号和所取样的输入信号计算输出信号；以及

以幅度比较被计算的输出信号和参考信号。

7.根据权利要求6的方法，进一步包括当激活校准模式时停用正常操作模式。

8.根据权利要求6的方法，其中激活校准模式包括将所述开关切换到ON位置。

9.根据权利要求6的方法，进一步包括如果被计算的输出信号的幅度大于所述参考信号的预定幅度，则检测到毛刺。

10.根据权利要求9的方法，进一步包括基于所检测到的毛刺将第一偏置电压调整到第二偏置电压。

11.根据权利要求10的方法，进一步包括基于第二偏置电压在正常操作模式操作传声器。

12.一种半导体电路，包括：

配置成接收输入信号的输入端；

配置成计算输出信号的第一加法器，所述第一加法器配置成接收所述输入信号和取样的输入信号，所述取样的输入信号基于所述输入信号；

配置成以幅度比较被计算的输出信号和参考信号的比较器；

配置成提供比较结果的输出端，以及

经由开关电连接到所述输入端的MEMS器件。

13.根据权利要求12的半导体电路，其中所述参考信号是第一参考信号和第二参考信号之间的差。

14.根据权利要求12的半导体电路，其中利用取样时间周期T_strobe来取样所述输入信号，所述T_strobe小于毛刺时间周期T_glitch。

15.根据权利要求14的半导体电路，其中比较器利用比较时间周期T_comp来比较被计算的输出信号与参考信号，T_comp短于T_strobe。

16.一种半导体电路，包括：

MEMS器件；

用于执行根据权利要求1-5中任一项所述方法的毛刺检测电路；以及

开关，所述开关电连接到所述MEMS器件和所述毛刺检测电路。

17.根据权利要求16的半导体电路，其中所述毛刺检测电路是开关式电容比较器。

18.根据权利要求16的半导体电路，其中所述开关还经由第一电阻器接地。

19.根据权利要求18的半导体电路，其中所述MEMS器件包括第二电阻器，且其中所述第一电阻器具有kΩ或MΩ值且第二电阻器具有GΩ值。