[发明专利]芘化合物以及包含该化合物的有机发光二极管设备有效
申请号: | 201210595827.2 | 申请日: | 2012-12-18 |
公开(公告)号: | CN103664748A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 金信韩;徐正大;金孝锡;丁荣观;全银珠 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | C07D213/16 | 分类号: | C07D213/16;C07D215/06;C07D471/04;C07D213/06;C07D401/14;C07D217/02;C07D401/10;C07D519/00;H01L51/54 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香兰;庞东成 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化合物 以及 包含 有机 发光二极管 设备 | ||
1.一种如以下化学式1所示的芘化合物:
[化学式1]
在化学式1中,A是选自C、N、S和O中的一种,B和R1是选自包含或不包含邻近的A的具有6至24个碳原子的杂芳基、具有取代基或不具有取代基的芳族芳基胺基团、或具有取代基或不具有取代基的杂芳族芳基胺基团中的一种基团,n为1至4的整数。
2.如权利要求1所述的芘化合物,其中R1、邻近的B包括A形成或不形成稠环。
3.如权利要求1所述的芘化合物,其中化学式1为如以下化学式2至8所示,
[化学式2]
[化学式3]
[化学式4]
[化学式5]
[化学式6]
[化学式7]
[化学式8]
在化学式2至8中,每个取代基可以与邻近取代基形成稠环。
4.如权利要求1所述的芘化合物,其中化学式1表示的化合物以下述P1至P26的化合物表示,
5.如权利要求1所述的芘化合物,其中化学式1中的至少一个取代基在芘的1、3、6和8位取代。
6.一种有机发光二极管设备,包括:
至少两个在第一电极和第二电极之间设置的叠层;以及
在所述叠层之间设置的包括N型电荷产生层和P型电荷产生层的电荷产生层,其中所述N型电荷产生层由根据权利要求1-5中任一项所述的芘化合物制成。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管设备,其中每个叠层包括在叠层的一面形成的空穴注入层和空穴传输层和在叠层的另一面形成的电子传输层,同时将发光层穿插于其间。
8.如权利要求6所述的有机发光二极管设备,其中所述叠层中与第二电极相邻的叠层中进一步包括电子注入层。
9.如权利要求6所述的有机发光二极管设备,其中所述叠层的发光层各自发出不同颜色的光。
10.如权利要求6所述的有机发光二极管设备,其中N型电荷产生层掺杂有碱金属。
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