[发明专利]一种场发射阴极的处理方法无效
| 申请号： | 201210595734.X | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103077868A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 纪成友;刘志龙 | 申请（专利权）人： | 青岛红星化工厂 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN纳米线场发射阴极的制备方法，包括：
先通过电子束蒸发的方法在si衬底上沉积一层10nm厚的Ni薄层；
沉积Ni薄层前，Si片先在甲苯、丙酮、乙醇中经过超声清洗，再用去离子水冲洗；
把盛有Si衬底和高纯金属Ga(99.999％)的钨舟放入管式炉内的石英管中，金属Ga放在钨舟中比较低的位置；
Si衬底放置在气流的下端，和金属Ga的距离为3mm；
随后，用机械泵对石英管抽气，当石英管中的真空度达到2×10-1Torr时，把石英管的温度升到某一固定值；
再通NH3(99.999％)和Ar(99.999％)的混合气体，使炉内的温度保持在这一固定值，NH3气和Ar气的的流量固定在某一值，管子的气压维持在3.5Torr，生长30min；
自然冷却到室温。
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