[发明专利]具有抗沾黏膜层的乐器无效
申请号: | 201210595587.6 | 申请日: | 2012-12-28 |
公开(公告)号: | CN103915084A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 高于迦;庄道良;吴政谚;林昭宪;黄建龙 | 申请(专利权)人: | 财团法人金属工业研究发展中心 |
主分类号: | G10D9/00 | 分类号: | G10D9/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 黏膜 乐器 | ||
1.一种具有抗沾黏膜层的乐器,其特征在于,其包含:
一乐器本体;以及
一抗沾黏膜层,其设置于该乐器本体上。
2.如权利要求1所述的具有抗沾黏膜层的乐器,其特征在于,其中一液体与该抗沾黏膜层的接触角大于100度。
3.如权利要求1所述的具有抗沾黏膜层的乐器,其特征在于,其中该抗沾黏膜层的材料为铬金属氧化物、钛金属氧化物、铬金属氮化物、钛金属氮化物及类钻碳中的任意一种。
4.如权利要求3所述的具有抗沾黏膜层的乐器,其特征在于,其中该抗沾黏膜层的材料更包含:
多个抗菌微粒,其参杂于该抗沾黏膜层,该些抗菌微粒于该抗沾黏膜层的重量百分比介于1%与20%之间。
5.如权利要求4所述的具有抗沾黏膜层的乐器,其特征在于,其中该些抗菌微粒的材料为银、铜、钴、镍、铁、铝及锌中的任意一种。
6.如权利要求1所述的具有抗沾黏膜层的乐器,其特征在于,其中该乐器本体具有一吹嘴部,该吹嘴部具有至少一外表面及至少一内表面,该抗沾黏膜层设置于该外表面或该内表面,或者该抗沾黏膜层设置于该外表面及该内表面。
7.如权利要求1所述的具有抗沾黏膜层的乐器,其特征在于,其中该乐器本体具有至少一外表面及至少一内表面,该抗沾黏膜层设置于该外表面或该内表面,或者该抗沾黏膜层设置于该外表面及该内表面。
8.一种具有抗沾黏膜层的乐器的制造方法,其特征在于,其包含:
提供一乐器本体及至少一靶源于一真空腔体上;
离子化至少一靶源,并产生多个离子;
通入一反应气体至该真空腔体;以及
混合该反应气体与该些离子,并形成一抗沾黏膜层于该乐器本体上。
9.如权利要求8所述的具有抗沾黏膜层的乐器的制造方法,其特征在于,其中该靶源包含一第一靶源,该第一靶源为一铬金属靶源、一钛金属靶源或一石墨靶,离子化该靶源所产生的该些离子包含多个第一离子,该些第一离子为铬离子、钛离子或碳离子。
10.如权利要求8所述的具有抗沾黏膜层的乐器的制造方法,其特征在于,其中该靶源更包含一第二靶源,该第二靶源为一银金属靶源、一铜金属靶源、一钴金属靶源、一镍金属靶源、一铁金属靶源、一铝金属靶源或一锌金属靶源,离子化该靶源所产生的该些离子更包含多个第二离子,该些第二离子为银离子、铜离子、钴离子、镍离子、铁离子、铝离子或锌离子。
11.如权利要求10所述的具有抗沾黏膜层的乐器的制造方法,其特征在于,其中离子化该靶源并产生该些离子的步骤更包含利用一程控该些第一离子及该些第二离子的百分比,该些第一离子相对于该些第一离子与该些第二离子总和的重量百分比介于80%与99%之间,该些第二离子相对于该些第一离子与该些第二离子总和的重量百分比介于1%与20%之间。
12.如权利要求8所述的具有抗沾黏膜层的乐器的制造方法,其特征在于,其中该反应气体为一氮气或一氧气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人金属工业研究发展中心,未经财团法人金属工业研究发展中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210595587.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。