[发明专利]一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片

权利要求书

1.一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：包括P型硅衬底，P型硅衬底正面实现磷的梯度扩散掺杂，并用隔离层I将各个梯度隔开，形成ININ-结构，P型硅衬底背面弱磷扩散并沉积P型有机晶体BWB，最后形成INP结构。

2.根据权利要求1所述的P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：所述P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其最顶层的N^-型掺杂层上再印刷前电极后覆盖有EVA层，用激光刻槽、清洗，实现银选择电极引出线；其最底层的BWB上再实现银烧结背电极，再覆以EVA。或直接用TCO导电玻璃或导电薄膜作为透光又可支撑的背电极或直接耦合TCO导电玻璃；正面的埋电极有两种，一是正对背电极的正上方位置制作埋电极，二是在正上方做常规的输出电极，在其硅片边缘离边5毫米处做埋电极，埋深是80-90微米。

3.根据权利要求2所述的P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：所述前电极、背电极和埋电极均为银电极，埋电极技术是一种连续战壕式的，或是长方形段壕；埋电极的侧面与硅片上半部绝缘，要求其方阻为10Ω。

4.根据权利要求1所述的P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：所述磷扩散的均匀度要求不大于±3％的误差。

5.根据权利要求1所述的P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：所述BWB的成晶方式为有机试剂低温物理溶解成晶或者溅射成晶。