[发明专利]废水循环利用方法与系统

权利要求书

1.一种废水循环利用方法，应用于单多晶硅片制造，其特征在于，该方法包括：

根据多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求，将所述用水环节分成高等水质用水环节、中等水质用水环节、和低等水质用水环节；

将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的用水。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：将所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节排出的废水进行净化处理，然后作为所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的用水。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，

所述低等水质用水环节包括对切割硅锭所得到的硅块进行冲洗的环节、对切割硅块得到的单多晶硅片进行预冲洗的环节，以及，对切割中所用工装进行冲洗的环节；

所述中等水质用水环节包括对所述单多晶硅块进行形状及表面研磨加工时用水进行冷却的环节；

所述高等水质用水环节包括采用去离子水对所述切割硅块得到的单多晶硅片进行清洗的环节。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

所述高等水质用水环节中，采用多槽式超声波硅片清洗机对所述切割硅块得到的单多晶硅片进行清洗；

将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将所述多槽式超声波硅片清洗机的预漂洗槽和精漂洗槽排出的废水进行净化处理。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

将所述高等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将所述高等水质用水环节排出的废水先后进行一级沉淀和过滤；

将所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节排出的废水进行净化处理的步骤包括：将所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节排出的废水先后进行两级沉淀和过滤。

6.一种废水循环利用系统，应用于单多晶硅片制造，其特征在于，该系统包括：

第一级沉淀池（11）；

第二级沉淀池（12）；

过滤器（13）；其中，

所述第一级沉淀池（11）、所述第二级沉淀池（12）、所述过滤器（13）依次串联；

所述第一级沉淀池（11）具有与中等水质用水环节和低等水质用水环节的废水出口（A）相连的第一级废水接收口以及将沉淀后的废水排出的第一级沉淀池出口；

所述第二级沉淀池（12）具有与所述第一级沉淀池出口相连的第二级沉淀池入口以及与高等水质用水环节的废水出口（B）相连的第二级废水接收口；

所述高等水质用水环节、所述中等水质用水环节、和所述低等水质用水环节是根据单多晶硅片制造过程中各用水环节对水质的要求而划分。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括滤前泵（16）、滤后储水槽（19）、增压泵（17）和压力罐（18），其中：

所述第二级沉淀池（12）与所述过滤器（13）之间通过所述滤前泵（16）相连，所述滤前泵（16）的输入端与所述第二级沉淀池（12）相连，所述滤前泵（16）的输出端与所述过滤器（13）相连；

所述过滤器（13）与所述压力罐（18）之间设置所述滤后储水槽（19），所述滤后储水槽用于存储所述过滤器（13）过滤后的水；

所述滤后储水槽（19）与所述压力罐（18）之间通过所述增压泵（17）相连，所述增压泵（17）的输入端与所述滤后储水槽（19）相连，所述增压泵（17）的输出端与所述压力罐（18）的输入端相连；

所述压力罐（18）的输出端与所述中等水质用水环节和所述低等水质用水环节的供水输入端相连。