[发明专利]一种硅酸铝镓锶钽压电晶体及其制备方法无效
| 申请号： | 201210594015.6 | 申请日： | 2012-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103014865A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 涂一帆;郑燕青;涂小牛;孔海宽;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B11/00;C30B13/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸铝 镓锶钽 压电 晶体 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅酸铝镓锶钽压电晶体，其特征在于其化学式为Sr3TaAl(3-x)GaxSi2O14 ，其中x的取值范围为0.05～2.50。
2.根据权利要求1所述的压电晶体，其特征在于其中x的取值范围为1～1.5。
3.根据权利要求1或2所述的压电晶体，其特征在于所述硅酸铝镓锶钽压电晶体具有与硅酸镓镧La3Ga5SiO14压电晶体相同的晶体结构，属空间群P321，点群32。
4.一种根据权利要求1-3中任一项所述的硅酸铝镓锶钽压电晶体的制备方法，其特征在于包括：根据化学计量比配料，混合后压块、烧结、使发生固相反应得到化合物原料的工序A；使用铱或铂坩埚，将所述化合物原料加热熔化并保温使熔体的状态稳定，旋转籽晶并开始提拉生长晶体的工序B；生长结束后将晶体脱离熔体，并使晶体降至室温从而制得所述硅酸铝镓锶钽压电晶体的工序C。
5.权利要求4所述的压电晶体的制备方法，其特征在于在所述工序A中所述烧结是在1000～1200℃温度范围内烧结12～24小时。
6.权利要求4或5所述的压电晶体的制备方法，其特征在于在所述工序B中所述熔化温度为1300～1600℃。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的压电晶体的制备方法，其特征在于在所述工序B中所述化合物原料加热时间为2～5小时。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的压电晶体的制备方法，其特征在于在所述工序B中所述提拉生长晶体过程控制转速5～30rpm，提拉速度0.1～5mm/h。
9.根据权利要求4至8中任一项所述的压电晶体的制备方法，其特征在于在所述工序C中降温速率为每小时30～120℃。
10.根据权利要求4至9中任一项所述的压电晶体的制备方法，其特征在于采用坩埚下降法、区熔法生长晶体。
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