[发明专利]多孔复合陶瓷部件、其制备方法以及等离子体处理腔室

权利要求书

1.一种用于等离子体处理腔室的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述多孔复合陶瓷部件包含：

一个多孔陶瓷基体, 其表面具有多个微孔；以及

含钇化合物，填充于所述多孔陶瓷基体整个表面和微孔内；其中，所述含钇化合物是通过将含有钇元素的流体渗入于所述多孔陶瓷基体表面的微孔中形成的。

2.根据权利要求1所述的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述含钇化合物的填充深度不小于所述多孔陶瓷基体的微孔孔深的2/3。

3.根据权利要求1或2所述的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述含钇化合物占整个多孔复合陶瓷部件的体积比小于15%。

4.根据权利要求3所述的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述含钇化合物占整个多孔复合陶瓷部件的体积比小于5%。

5.根据权利要求1或2所述的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述含钇化合物为Y₂O₃ 、YF₃或YCl₃。

6.根据权利要求1所述的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述含有钇元素的流体是通过对金属钇进行高温加热形成的熔融体。

7.根据权利要求1所述的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述含有钇元素的流体为含有Y(NO₃)₃的溶液。

8.根据权利要求1所述的多孔复合陶瓷部件，其特征在于，所述多孔复合陶瓷部件为等离子体聚焦环、接地环和/或喷淋头。

9.制备权利要求1所述的多孔复合陶瓷部件的方法，其特征在于，包括：

步骤S01：制备含有钇元素的流体；

步骤S02：将所述含有钇元素的流体渗入所述多孔陶瓷基体表面的微孔中；

步骤S03：经过热处理和/或等离子体时效处理，在所述多孔陶瓷基体的整个表面和微孔中形成含钇化合物，得到填充有含钇化合物的多孔复合陶瓷部件；

步骤S04：通过机械加工处理去除所述多孔复合陶瓷部件表面多余的含钇化合物，直至所述多孔复合陶瓷部件表面平滑。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：步骤S03中，首先进行热处理，然后进行等离子体时效处理。

11.根据权利要求9或10所述的制备方法，其特征在于：步骤S03中，在空气、氧气、氯气或含氟的气体中进行所述热处理工艺。

12.根据权利要求9或10所述的制备方法，其特征在于：步骤S03中，采用含氧等离子体、含氯等离子体或含氟等离子体进行所述的等离子体时效处理。

13.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述含有钇元素的流体是对金属钇进行高温加热而形成的含有钇元素的熔融体。

14.根据权利要求9或13所述的制备方法，其特征在于：所述含有钇元素的流体是含有Y(NO₃)₃的溶液。

15.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述的含钇化合物的填充深度不小于所述多孔陶瓷基体的微孔孔深的2/3。

16.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述的含钇化合物可以为Y₂O₃ 、YF₃或YCl₃。

17.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述含钇化合物占整个多孔复合陶瓷部件的体积比小于15%。

18.根据权利要求17所述的制备方法，其特征在于，所述含钇化合物占整个多孔复合陶瓷部件的体积比小于5%。

19.一种等离子体处理腔室，其特征在于：所述等离子体处理腔室包含权利要求1-8中所述的多孔复合陶瓷部件。