[发明专利]晶圆边缘清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别是涉及一种晶圆边缘清洗方法。

背景技术

在半导体制造的后段工艺中，镀铜工艺是最重要的步骤之一。镀铜工艺的步骤主要是先在整个晶圆(Wafer)的衬底表面镀一层铜籽层(Cu Seed)，然后在所述铜籽层上进行电镀铜(ECP)工艺，由于电镀铜工艺的特性，在电镀铜工艺后，所述晶圆形成如图1和图2所示的结构，其中，图1为现有技术中进行电镀铜工艺后的晶圆结构的示意图，图2为图1沿剖开线A-A’的剖面图。所述衬底100的第一区101和第二区102位于晶圆边缘(Wafer Edge)，所述衬底100的第一区101和第二区102的高度低于所述第三区103的高度，所述衬底100的第一区101位于所述衬底100的最外侧，所述第一区101的宽度大约为1mm～3mm，所述第一区101上仅具有铜籽层110；所述衬底100的第二区102位于所述第一区101的内侧，所述第二区102的宽度大约为1mm～3mm，所述第二区102上具有自下至上依次层叠的铜籽层110和过渡层120；所述衬底100的第三区103位于所述第二区102的内部，所述第三区103上具有自下至上依次层叠的铜籽层110和镀铜层130，所述第三区103内具有器件，所以所述第三区103的所述衬底100内具有若干凹槽105，所述镀铜层130在所述凹槽105内形成铜槽131。其中，过渡层120在电镀铜工艺中形成，其材料和镀铜层130的材料一样。

以下结合图3和图4a-图4c具体说明现有技术中晶圆边缘清洗方法，其中图3为图2中B区域的放大图。由图3可以看出，整个所述衬底100表面均被所述铜籽层110覆盖，在所述第二区102的衬底100上刚还具有过渡层120。由于在晶圆边缘具有用于作为标记的记号(Mark，记录每片晶圆的ID)，所述记号160位于所述第一区101和第二区102处，所述记号160被所述铜籽层110和所述过渡层120覆盖，所以在电镀铜工艺后，化学机械抛光(CMP)之前，需要对晶圆边缘进行清洗，以露出所述记号160，保证后续工艺正常进行。

现有技术采用一步清洗法，即对晶圆边缘喷洒一次反应液并旋转所述晶圆，以去除所述第一区101上的所述铜籽层110，以及所述第二区102上的所述铜籽层110和所述过渡层120，以露出所述记号160。但由于所述晶圆旋转会使所述反应液旋转到所述第二区102边缘的所述第三区103上，在所述第三区103靠近所述第二区102的位置形成第四区104，所述第四区104上的镀铜层130与所述反应液发生反应以消耗部分所述镀铜层130。由于所述反应液与所述镀铜层130接触的时间较长，所述反应液与所述镀铜层130的反应不均匀，当所述第四区104内具有所述凹槽105时，使得所述反应液会进一步的和所述凹槽105内的所述铜槽131反应，以在所述铜槽131内形成孔洞132，如图4a所示。接着进行CMP工艺，将多余的所述镀铜层130所述铜籽层110去除，形成如图4b所示的结构，由于所述孔洞132的存在，在CMP工艺后，会使得所述铜槽131内具有所述孔洞132留下的凹点133，形成如图4c所示的缺陷，图4c为所述缺陷的扫描电子显微镜的图片。

因此，如何提供一种晶圆边缘清洗方法，减少或去除现有技术中由于清洗晶圆边缘而形成的缺陷，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种晶圆边缘清洗方法，可以减少或去除现有技术中由于清洗晶圆边缘而形成的缺陷。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜板固化处理方法，包括：

令晶圆进行第一旋转，从所述晶圆边缘上方向所述晶圆边缘喷洒第一反应液；

令所述晶圆进行第二旋转，从所述晶圆边缘上方向所述晶圆边缘喷洒第二反应液；以及

用去离子水冲洗所述晶圆。

进一步的，所述第一反应液的流速大于所述第二反应液的流速。

进一步的，所述第一反应液的流速为0.6ml/s～0.8ml/s。

进一步的，所述第二反应液的流速为0.1ml/s～0.3ml/s。

进一步的，在令晶圆进行第一旋转步骤之前，还包括：用去离子水对所述晶圆进行预冲洗。

进一步的，在令晶圆进行第一旋转步骤和令所述晶圆进行第二旋转步骤之间，还包括：用去离子水对所述晶圆进行间隔冲洗。

进一步的，在用去离子水冲洗所述晶圆步骤之后，还包括：令所述晶圆进行干燥旋转，所述干燥旋转的转速为1500rmp～3000rmp。