[发明专利]固态存储系统、装置及数据写入方法

说明书

技术领域

本发明涉及储存技术领域，尤其涉及一种固态存储系统、装置及数据写入方法。

背景技术

MLC(Multi-Level Cell，多层单元)Nand Flash相对SLC(Single-Level Cell，单层单元)Nand flash有更高的存储密度，在固态硬盘领域有着越来越广泛的应用。MLC Nand Flash一个存储单元(memory cell)可以存储2bits的信息，这2bits分属于两个不同的page，这样的一组page叫couple pages，存低位比特的叫low page，存高位比特的叫up page，它执行写有以下两个约束：1)Low page必须在up page之前被写入；2)Up page在写入过程中被打断，比如异常掉电，uppage的信息会丢失，而且它对应的low page的信息也可能会丢失，而low page不会影响其up page。

现有技术通过额外提供备用电源或超级电容，当主电源断电时，由备用电源供电保证当前正在写的数据成功写入到Nand Flash中。但这种解决方式需要提供外部的硬件支持，增加了成本和硬件复杂性，

综上可知，现有的固态存储数据的写入方法，在实际使用上显然存在不便与缺陷，所以有必要加以改进。

发明内容

针对上述的缺陷，本发明的目的在于提供一种固态存储系统、装置及数据写入方法，在不增加额外硬件成本的前提下恢复被破坏的数据。

为了实现上述目的，本发明提供一种固态存储系统的数据写入方法，所述固态存储系统包括若干逻辑盘，所述方法包括：

从每个所述逻辑盘分配至少一空闲逻辑块，用于接收并行数据，每个所述逻辑块包括若干逻辑页；

将各个所述逻辑块中页号相同的所述逻辑页设为一个磁盘阵列组，每个所述磁盘阵列组用于储存一组并行数据，以及所述并行数据的校验信息；

当一个所述逻辑页中的数据被破坏时，通过所述逻辑页所在的磁盘阵列组储存的其它数据以及校验信息计算恢复所述被破坏的数据。

根据本发明的数据写入方法，所述逻辑块的一个存储单元包括相邻的两个所述逻辑页，其中一个逻辑页用于存储低位数据，另一个逻辑页用于存储高位数据。

根据本发明的数据写入方法，所述当一个所述逻辑页中的数据被破坏时，通过所述逻辑页所在的磁盘阵列组储存的其它数据以及校验信息计算恢复所述被破坏的数据步骤包括：

当所述高位数据的写入将对应的低位数据破坏时，通过所述低位数据所在的磁盘阵列组储存的其它数据以及校验信息计算恢复所述被破坏的数据。

根据本发明的数据写入方法，所述方法还包括：

若接收并行数据的各个逻辑块中存在所述用于存储高位数据且页号相同的逻辑页，则选择其中的一个所述逻辑页接收数据写入，并阻塞其它页号相同的所述逻辑页的写入请求。

本发明还提供一种固态存储系统，包括若干逻辑盘，所述存储系统还包括：

分配模块，用于从每个所述逻辑盘分配至少一空闲逻辑块，所述空闲逻辑块用于接收并行数据，每个所述逻辑块包括若干逻辑页；

设置模块，用于将各个所述逻辑块中页号相同的所述逻辑页设为一个磁盘阵列组，每个所述磁盘阵列组用于储存一组并行数据，以及所述并行数据的校验信息；

恢复模块，用于当一个所述逻辑页中的数据被破坏时，通过所述逻辑页所在的磁盘阵列组储存的其它数据以及校验信息计算恢复所述被破坏的数据。

根据本发明的固态存储系统，所述逻辑块的一个存储单元包括相邻的两个所述逻辑页，其中一个逻辑页用于存储低位数据，另一个逻辑页用于存储高位数据。

根据本发明的固态存储系统，所述恢复模块进一步用于当所述高位数据的写入将对应的低位数据破坏时，通过所述低位数据所在的磁盘阵列组储存的其它数据以及校验信息计算恢复所述被破坏的数据。

根据本发明的固态存储系统，所述系统还包括处理模块，用于所述系统接收并行数据的各个逻辑块中存在所述用于存储高位数据且页号相同的逻辑页时，选择其中的一个所述逻辑页接收数据写入，并阻塞其它页号相同的所述逻辑页的写入请求。

本发明还提供一种包括如上所述系统的存储装置。