[发明专利]一种LTPS阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种LTPS阵列基板，包括：

一基板；

形成于所述基板上的图形化的遮光层；

形成于所述基板和图形化的遮光层上的缓冲层；

形成于所述缓冲层上的图形化的多晶硅层；

形成于所述图形化的多晶硅层和缓冲层上的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的栅电极线和公共电极线；

其特征在于，还包括一图形化的存储层，所述图形化的存储层与所述遮光层位于同一层，所述图形化的存储层、与所述图形化的存储层相对应的图形化的多晶硅层以及夹在其间的缓冲层构成一存储电容。

2.如权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述图形化的遮光层与所述图形化的多晶硅层之间的缓冲层的厚度大于所述图形化的存储层与所述图形化的多晶硅层之间的缓冲层的厚度。

3.如权利要求1所述的LTPS阵列基板，其特征在于，所述公共电极线、与所述公共电极线相对应的图形化的多晶硅层以及夹在其间的栅极绝缘层构成另一存储电容。

4.如权利要求1或2所述的LTPS阵列基板，其特征在于，还包括贯穿所述栅极绝缘层和缓冲层的通孔，所述公共电极线通过所述通孔与所述图形化的存储层连接。

5.一种LTPS阵列基板的制造方法，包括：

提供一基板；

在所述基板上形成遮光层；

刻蚀所述遮光层形成图形化的遮光层和图形化的存储层；

在所述图形化的遮光层、图形化的存储层和基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成图形化的多晶硅层；

在所述图形化的多晶硅层和缓冲层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极线和公共电极线；

其中，所述图形化的存储层、与所述图形化的存储层相对应的图形化的多晶硅层以及夹在其间的缓冲层构成一存储电容。

6.如权利要求5所述的LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述图形化的遮光层、图形化的存储层和基板上形成缓冲层的步骤之后，还包括：减薄与所述图形化的存储层位置相对应的缓冲层的厚度。

7.如权利要求5或6所述的LTPS阵列基板的制造方法，其特征在于，在所述图形化的多晶硅层和缓冲层上形成栅极绝缘层步骤之后，还包括：在所述栅极绝缘层和缓冲层中形成通孔，所述公共电极线通过所述通孔与所述图形化的存储层连接。