[发明专利]一种检测毒死蜱农药残留的免疫传感器制备方法

权利要求书

1.一种检测毒死蜱农药残留的免疫传感器制备方法，其特征在于：制备了多壁碳-硫堇-壳聚糖（MWCNTs-THI-CS）纳米复合材料，该传感器的组装过程为：将多壁碳-硫堇-壳聚糖纳米复合物滴涂到玻碳电极表面，然后用戊二醛交联，再在抗体溶液中孵育12小时，用BSA封闭，进而制备出一种检测毒死蜱农药的免疫传感器。

2.如权利要求1所述的一种检测毒死蜱农药残留的免疫传感器制备方法，其特征在于：多壁碳纳米管具有良好的化学稳定性、导电性和极高的机械强度；壳聚糖具有良好的生物相容性与成膜性，可以增大多壁碳纳米管在溶液里的溶解性，解决了多壁碳纳米管难溶解的问题

，硫堇作为一种电子传递的媒介，通过π-π键与多壁碳纳米管形成很强的作用力，很大程度上提高了复合物中电子的传输，进一步增强了多壁碳-硫堇-壳聚糖纳米复合物的导电性；而戊二醛又可以很好地交联复合物里硫堇、壳聚糖与抗体中的氨基（-NH2），因此，制备的免疫传感器灵敏度高，稳定性好。

3.如权利要求1所述的一种检测毒死蜱农药残留的免疫传感器制备方法，其特征在于：免疫传感器的修饰及表征过程，有关实验参数的优化，所制备的免疫传感器的工作曲线为：毒死蜱浓度0.1-10⁵ng/mL时，检测毒死蜱农药的线性范围为y = 9.5771 lgC (ng/mL) + 16.220，检测限为0.046ng/mL，免疫传感器性能检测包括重现性、稳定性、特异性、再生性以及免疫传感器对蔬菜样品加标回收率的测定。