[发明专利]一种高纯甲基磺酸的纯化制备方法有效
申请号: | 201210588460.1 | 申请日: | 2012-12-29 |
公开(公告)号: | CN103103555A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 孙江燕;梁重时;栾善东;王俊伟 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C25B3/00 | 分类号: | C25B3/00 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 贾慧琴 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高纯 甲基 纯化 制备 方法 | ||
1.一种高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,该方法是采用电解槽,通过电解的方法纯化甲基磺酸,所述电解槽包含:阴极,阳极,阴离子交换膜,和阳离子交换膜;所述的阴极材料选用不锈钢、钛、铂、镀铱钛板中的任意一种,所述的阳极材料选用石墨、不锈钢、钛、铂、镀铱钛板中的任意一种,阴离子交换膜邻近阳极,且阳离子交换膜邻近阴极,所述的阴离子交换膜和阳离子交换膜均为单向膜,使得甲基磺酸根负离子单向通过阴离子交换膜进入阳极区域,杂质金属阳离子单向通过阳离子交换膜进入到阴极区域。
2.如权利要求1所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的电解槽的材质选择聚氯乙烯、聚丙烯、高密度聚乙烯和四氟乙烯中的任意一种。
3.如权利要求1或2所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的电解槽选择二膜三室、三膜四室、四膜五室、五膜六室结构的任意一种。
4.如权利要求3所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的电解槽为二膜三室结构,通过相邻设置的阴离子交换膜、阳离子交换膜将电解槽分隔出包含阳极的阳极室、位于阴离子交换膜与阳离子交换膜之间的产品室和包含阴极的阴极室。
5.如权利要求4所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的阴极室中盛放浓度为15-30 g/L的稀氢氧化钠或氢氧化钾溶液;所述的原料室内盛放待纯化的工业级甲磺酸的水溶液;所述的阳极室内盛放15-30 g/L高纯的稀甲基磺酸溶液。
6.如权利要求1所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的阳离子交换膜选择异相离子交换膜,聚乙烯均相离子交换膜,磺酸膜或全氟磺酸膜中的任意一种。
7.如权利要求1所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的阴离子交换膜为异相或均相离子交换膜,选择聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚醚或含氟高聚合物膜中的任意一种。
8.如权利要求6或7所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的阳离子交换膜和阴离子交换膜均经预处理,该预处理是指使用5%浓度硫酸在50摄氏度浸泡1小时后,去离子水清洗干净,再改为35% 浓度甲基磺酸溶液浸泡12小时,去离子水洗涤干净,以上浓度均按重量百分数计。
9.如权利要求1所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的电解的工艺为恒电流3-10 A,电解8-12小时。
10.如权利要求9所述的高纯甲基磺酸的纯化制备方法,其特征在于,所述的方法还包含:在电解提纯之后的甲基磺酸溶液,经220nm微滤膜过滤,得到高纯甲基磺酸。
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