[发明专利]一种金/钴氢氧化物膜修饰玻碳电极的制备方法

权利要求书

1.一种金/钴氢氧化物膜修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于：以玻碳电极为基础电极，利用钴氢氧化物膜来修饰基础电极，将钴氢氧化物膜修饰电极置于HAuCl₄的KNO₃溶液中，以SCE为参比，铂丝为对电极，得到GNPs/CoOOH复合修饰电极。

2.根据权利要求1所述的金/钴氢氧化物膜修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于：在制备方法的具体步骤如下：

a、玻碳电极用Al₂O₃粉末抛光成镜面，依次在无水乙醇和二次蒸馏水中超声清洗，将清洗后的玻碳电极置于H₂SO₄中扫描；

b、将上述处理好的玻碳电极在氮气下吹干，然后采用镀膜/循环伏安法制备钴氢氧化物膜修饰电极；

 c、将上述电极置于HAuCl₄的KNO₃溶液中，以SCE为参比，铂丝为对电极，于-0.2 V下保持 4 min，取出后用水反复冲洗，得到GNPs/CoOOH复合修饰电极，悬在pH 10.0的PBS 溶液上方保存备用。

3.根据权利要求2所述的金/钴氢氧化物膜修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于：所述HAuCl₄的KNO₃溶液为5 mM HAuCl₄的0.5 M KNO₃溶液。

4.根据权利要求2所述的金/钴氢氧化物膜修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于：在步骤a中，玻碳电极分别用1.0 μm，0.3 μm，0.05 μm Al₂O₃粉末抛光成镜面，水冲洗后，依次在无水乙醇和二次蒸馏水中超声清洗1-2分钟。

5.根据权利要求2所述的金/钴氢氧化物膜修饰玻碳电极的制备方法，其特征在于：为获得彻底干净的玻碳电极表面，将清洗后的玻碳电极置于1.0 M H₂SO₄中在-0.3-1.5 V电位窗口下扫描12圈，扫速50mV/S。