[发明专利]一种电流镜互补偏置方法和一种电流镜有效

专利信息
申请号: 201210587420.5 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103076838A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 吕志强;陈岚 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电流 互补 偏置 方法
【说明书】:

技术领域

本申请涉及电流镜电路领域,特别涉及一种电流镜互补偏置方法和一种电流镜。

背景技术

电流镜是模拟电路的一个重要的电路单元,可以用于复制电流,它既可以作为偏置单元也可以作为信号处理元件,被广泛地应用于各种模拟和射频电路设计中。

电流镜的一个主要作用是和参考源相结合,给模拟电路的核心功能部分提供偏置,比如给电阻做负载的差分放大器提供尾电流源,性能优良的参考源与电流镜相结合,可以使得模拟电路核心功能部分的静态工作点在温度、电源电压和工艺发生变化时依然保持稳定。

现有的电流镜是由偶数个晶体管并联组成的,其偏置方法是在电流镜中的晶体管的基极输入一个直流分量,直流分量的电压是一个固定值,通常情况下,为了满足晶体管处于正向放大区的考虑,晶体管的基极电压要小于集电极电压,这就要求直流分量的电压较小,也就导致晶体管的集电极总电流较小,在需要电流镜输出较大电流的情况下,现有的电流镜偏置方法不能满足要求。

发明内容

有鉴于此,本申请实施例提供一种电流镜互补偏置方法和一种电流镜,可以使电流镜中晶体管的集电极输出较大的电流。

为了实现上述目的,本申请提供的技术方案如下:

一种电流镜互补偏置方法,用于对电流镜电路中的晶体管进行偏置,所述晶体管的总数量为偶数个,偶数个所述晶体管的发射极与地电平相连,偶数个所述晶体管的基极作为电流输入端,偶数个所述晶体管的集电极作为电流输出端,所述互补偏置方法包括:

在电流镜电路中所有晶体管的电流输入端输入一个直流分量;

选择所述电流镜电路中第一数量个晶体管,所述第一数量为偶数;

将第一数量晶体管按照对分的方式分成两部分;

在第一数量所述晶体管中第一部分晶体管的基极上输入第一交流分量;

在第一数量所述晶体管中第二部分晶体管的基极上输入第二交流分量,所述第一交流分量和第二交流分量大小相等、方向相反。

优选地,所述第一数量小于总数量。

优选地,所述第一数量等于总数量。

优选地,所述晶体管的参数相同。

优选地,所述晶体管为NPN型晶体管。

优选地,所述晶体管为PNP型晶体管。

本申请实施例还提供了一种电流镜,所述电流镜包括:晶体管电路、分类电路和偏置电路,其中:

所述晶体管电路包括偶数个晶体管,并且所述晶体管的基极作为所述电流镜电路的输入端,所述晶体管的集电极作为所述晶体管电路的输出端,所述晶体管的发射极与地电平相连;

所述分类电路用于选择所述晶体管电路中第一数量个晶体管,且将第一数量个晶体管按照对分的方式分成两部分,其中,所述第一数量为偶数;

所述偏置电路与所述分类电路相连接,用于生成直流分量且将直流分量输出到第一数量个晶体管的基极中;且生成第一交流分量和第二交流分量,并将所述第一交流分量输出到第一部分晶体管的基极中,将第二交流分量输出到第二部分晶体管的基极中,第一交流分量和第二交流分量大小相等、方向相反。

优选地,所述第二数量小于总数量。

优选地,所述第二数量等于总数量。

优选地,所述晶体管的参数相同。

由以上技术方案可以看出,与现有技术相比,本申请提供的电流镜互补偏置方法通过在电流镜电路中增加大小相等、方向相反的交流电分量,使电流镜中的晶体管的输入端口分量在与现有偏置方法相同的情况下,集电极输出总电流比现有偏置方法的输出电流大,互补偏置方法较为简单,并且容易实现,本申请提供的电流镜通过分类电路和偏置电路可以在电流镜模块中输入不同的交流分量,从而可以得到更大的输出电流。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种电流镜互补偏置方法的流程示意图;

图2为本申请实施例提供的一种电流镜中晶体管的连接示意图;

图3为本申请实施例提供的另一种电流镜中晶体管的连接示意图;

图4为本申请实施例提供的一种电流镜的电路结构示意图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210587420.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top