[发明专利]高电压接面场效晶体管结构

权利要求书

1.一种JFET结构，其包含：

一第一JFET，其具有一第一端子；及

一第二JFET，其与所述第一JFET相邻且与所述第一JFET共享所述第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间。

2.如请求项1的JFET结构，其中所述共享的第一端子为所述等JFET的一源极或汲极。

3.如请求项1的JFET结构，其中所述第一端子与每一JFET的所述闸极相等地隔开。

4.如请求项1的JFET结构，其进一步包含在所述井中的具有所述第一导电型的一第二掺杂区及一第二隔离区，其中所述第二掺杂区藉由所述第二隔离区与所述闸极分离。

5.一种提供复数个夹止信道的JFET结构，所述结构包含：

具有一第一导电型的一基板；

一第一JFET，其具有一第一端子；

在所述基板中/上的一第二JFET，其中所述第一端子与所述第二JFET共享，且所述第一端子在所述第一JFET与所述第二JFET之间；及

具有一第二导电型的一内埋层，所述内埋层位于所述基板中，且位于所述第一JFET及所述第二JFET之下。

6.如请求项5的JFET，其中所述内埋层经分割成复数个区段。

7.如请求项5的JFET结构，其中所述共享的第一端子为所述等JFET之一源极或汲极。

8.一种制造一JFET结构的方法，所述方法包含：

提供具有一第一导电型的一基板；

在所述基板中形成一第一JFET及一第二JFET，其中所述第一JFET与所述第二JFET共享一第一端子，且所述第一端子在每一JFET的闸极之间；及

在所述第一JFET及所述第二JFET之下形成具有第二导电型的一内埋层。

9.如请求项8的方法，其进一步将所述内埋层分割成复数个区段。

10.如请求项8的方法，其进一步在一第二端子与每一JFET的一闸极之间形成一隔离区。

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