[发明专利]一种激光退火装置及方法有效
| 申请号: | 201210586819.1 | 申请日: | 2012-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN103903967A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
| 发明(设计)人: | 徐建旭;兰艳平 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;B23K26/06 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
| 地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 激光 退火 装置 方法 | ||
1.一种激光退火装置,其特征在于,包括:
激光退火单元,用于对所述加工对象进行激光退火;
反射率检测单元,用于检测与分析所述加工对象的表面状态;
工件台,用于放置一加工对象;其中,
所述激光退火单元包括:
激光器,用于射出激光;
扩束系统,用于对所述激光器射出的激光进行扩束;
匀光系统,用于对所述扩束系统扩束的激光进行匀光;
分光系统,用于对经所述匀光系统匀光的激光进行第一分光;其中,所述分光系统将所述激光器射出的99%的激光分出作为第一反射光,并将所述激光器射出的其余1%的激光分出作为透射光;
聚焦系统,用于对所述分光系统分出的第一反射光进行聚焦。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述分光系统还用于将经过加工对象的第一反射光进行第二分光以获取第二反射光。
3.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述反射率检测单元包括:
第一能量探测器,用于探测所述分光系统分出的透射光,并根据探测到的透射光发出第一信号;
第二能量探测器,用于探测所述分光系统分出的第二反射光,并根据探测到的所述第二反射光发出第二信号;
第一信号处理系统,用于接收所述第一信号和所述第二信号。
4.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述反射率检测单元包括:
第三能量探测器,用于探测所述分光系统分出的透射光,并根据探测到的透射光发出第三信号;
第四能量探测器,用于探测所述加工对象反射出的第一反射光,并根据探测到的所述第一反射光发出第四信号;
第二信号处理系统,用于接收所述第三信号和所述第四信号。
5.一种激光退火装置,其特征在于,包括:
激光退火单元,用于对所述加工对象进行激光退火;
反射率检测单元,用于检测与分析所述加工对象的表面状态;
工件台,用于放置一加工对象;其中,
所述激光退火单元包括:
激光器,用于射出激光;
扩束系统,用于对所述激光器射出的激光进行扩束;
匀光系统,用于对所述扩束系统扩束的激光进行匀光;
第一分光系统,设置于所述激光器和扩束系统之间、扩束系统和匀光系统之间或匀光系统和第二分光系统之间的任一位置,所述第一分光系统对所述激光器、扩束系统或匀光系统射出的激光进行第一分光,其中,所述第一分光系统将射出的99%的激光分出作为第一反射光,并将射出的其余1%的激光分出作为透射光;
第二分光系统,用于对经所述匀光系统匀光后的第一反射光或经所述第一分光系统进行第一分光后的第一反射光传递至聚焦系统;
聚焦系统,用于对所述第二分光系统传递的第一反射光进行聚焦。
6.根据权利要求5所述的激光退火装置,其特征在于,所述第二分光系统还用于将经过所述加工对象的第一反射光进行第二分光以获取第二反射光。
7.根据权利要求6所述的激光退火装置,其特征在于,所述反射率检测单元包括:
第五能量探测器,用于探测所述第一分光系统所分出的透射光,并根据探测到的透射光发出第五信号;
第六能量探测器,用于探测所述第二分光系统分出的第二反射光,并根据探测到的第二反射光发出第六信号;
第三信号处理系统,用于接收所述第五信号和所述第六信号。
8.一种激光退火方法,使用如权利要求1所述的一种激光退火装置,其特征在于,包括以下步骤:
将加工对象放置于工件台上;
激光退火单元对加工对象进行激光退火处理,其中,从激光器射出的激光,依次经过扩束系统扩束,匀光系统匀光后,经过分光系统进行第一分光,所述分光系统将所述激光器射出的99%的激光分出作为第一反射光,并将所述激光器射出的其余1%的激光分出作为透射光;
第一反射光经过聚焦系统聚焦,焦点落在加工对象上;
所述第一反射光在加工对象上经过反射后,按原路返回,经过聚焦系统,透过分光系统进行第二分光获取第二反射光;
反射率检测单元检测与分析所述第二反射光与透射光的第一比率,根据所述第一比率获取加工对象的表面状态,当加工对象的表面状态为液态时,确认激光退火完成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





