[发明专利]一种晶体排列方法及其探测器

权利要求书

1.一种晶体排列方法，所述晶体由若干晶体单元阵列排布组成，所述晶体单元包括一闪烁晶体块以及一出射面经过处理的闪烁晶体块，所述经过处理的闪烁晶体块的出射面的一部分经过遮光处理，其特征在于，所述晶体排列方法包括：上下相邻的所述晶体单元以闪烁晶体块与经过处理的闪烁晶体块相互间隔的方式排列，左右相邻的所述晶体单元以经过处理的闪烁晶体块的出射面上遮光面与非遮光面相互间隔的方式排列。

2.如权利要求1所述的晶体排列方法，其特征在于，所述经过处理的闪烁晶体块出射面的一半经过遮光处理。

3.如权利要求2所述的晶体排列方法，其特征在于，所述遮光处理为采用真空镀膜方法对所述闪烁晶体块的一半出射面进行处理，真空薄膜的颜色为黑色。

4.如权利要求2所述的晶体排列方法，其特征在于，所述遮光处理为采用油漆喷涂方法对所述闪烁晶体块的一半出射面进行处理，喷涂颜色为黑色。

5.如权利要求2所述的晶体排列方法，其特征在于，所述遮光处理为采用打磨方法对所述闪烁晶体块的一半出射面进行处理，使光在该面发生漫反射。

6.如权利要求2所述的晶体排列方法，其特征在于，所述遮光处理为采用先打磨后油漆喷涂的方法对所述闪烁晶体块的一半出射面进行处理，喷涂颜色为黑色。

7.如权利要求2所述的晶体排列方法，其特征在于，所述遮光处理为采用先去除所述闪烁晶体块的一半出射面的一部分材料，形成一个台阶，再在该台阶上填充不透光的材料。

8.如权利要求1所述的晶体排列方法，其特征在于，所述闪烁晶体块以及经过处理的闪烁晶体块为含有LYSO、Na:CsI 、BGO、GSO、T1:NaI、BaF2、YAP、LSO和LaBr3中的一种或多种，或其任意组合的晶体。

9.一种采用权利要求1所述的晶体制成的探测器，其特征在于，所述探测器还包括硅光电倍增管，在所述硅光电倍增管上设有若干信号单元，所述信号单元与晶体单元一一对应，所述信号单元可以接收由所述晶体单元发出的光信号；所述晶体通过UV胶直接与所述硅光电倍增管粘接相连。

10.如权利要求9所述的探测器，其特征在于，所述探测器为PET探测器。