[发明专利]一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201210586412.9 | 申请日： | 2012-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103065972A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 平山秀雄;邱勇;施露;张洁;黄秀颀 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/268;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）制备以ZnO为基础并加入其他金属元素形成的金属氧化物薄膜；
（2）将步骤（1）中得到的金属氧化物薄膜在含氧气氛下进行激光退火程序3-6min，形成所需的金属氧化物半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述步骤（2）中，所述含氧气氛中的含氧量为10～100%。
3.根据权利要求2所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述含氧量为63%。
4.根据权利要求1-3任一所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述步骤（1）中，所述金属氧化物为IGZO、YIZO、HIZO或ZZO。
5.根据权利要求4所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述步骤（2）中，所述激光的波长为200-1100nm。
6.根据权利要求5所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述激光的波长为200-350nm或600-800nm。
7.根据权利要求5或6所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述步骤（2）中，所述激光的光束形状为条状或块状。
8.根据权利要求7所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述步骤（2）中，所述激光为准分子脉冲激光或连续激光。
9.根据权利要求1-8任一所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述步骤（1）中，采用射频磁控溅射法、溶液旋涂法或脉冲激光沉积法制备所需的金属氧化物薄膜。
10.根据权利要求9所述的制备金属氧化物半导体薄膜的方法，其特征在于：
所述步骤（1）中，所述金属氧化物薄膜的厚度为30-100nm。
11.根据权利要求1-10任一所述的方法制备得到的金属氧化物半导体薄膜。
12.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求11所述的金属氧化物半导体薄膜作为半导体层。
13.一种OLED器件，其特征在于，含有权利要求12所述的薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
