[发明专利]一种液晶显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种高透光率液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置的发光亮度是背光源亮度和像素透过率的乘积，在液晶显示装置的发光亮度一定的前提下，提高像素透过率可以降低背光源的亮度，从而实现节能降耗。提高像素开口率、液晶透过效率、偏光板透过率、彩色滤光片透过率可以提高像素透过率。其中，提高像素开口率是最常见，也是最有效的方法。

如图1和图2所示为现有常见液晶显示装置的平面示意图，现有液晶显示装置包括第一基板10、第二基板20、以及夹设在第一基板10和第二基板20之间的液晶（图未示），第一基板10的每个阵列单元11包括：数据线12、扫描线13、存储电容线14（简称Cs线）、晶体管15、以及像素电极16，像素电极16内具有有效透光区域17，像素开口率是指阵列单元11中除去数据线11、扫描线12、存储电容线14（简称Cs线）等配线区域、以及晶体管15区域（通常采用黑色矩阵隐藏）后的光线通过部分的面积与阵列单元整体面积之间的比例。

开口率越高，即图1中有效透光区域17的面积越大，光线通过的效率越高。第一基板10和第二基板20贴合后，在两个基板之间灌入液晶，就形成一个能够显示一定亮度的像素。

在图1中，使用专用的Cs线14与像素电极16重叠形成存储电容，由于Cs线14的存在，明显减少了像素电极16的有效透光区域。图3所示为使用专用Cs线的阵列单元结构的示意图，在阵列单元11中，能够用来透光的开口区域的上下距离为Lc。图4所示为使用扫描线兼作存储电容的阵列单元结构的示意图，就是用上一行阵列单元的扫描线13和下一行阵列单元的像素电极16重叠形成存储电容，其能够用来透光的开口区域的上下距离为Lg，一般的情况下，Lg的长度大于Lc的长度。

在阵列单元中，能够用来透光的开口区域的上下距离是提升像素开口率的一个重要课题，这个课题的一个重要对策是省略Cs线，或者缩小兼作存储电容电极的扫描线的宽度。目前，在高精细化液晶显示装置中，图5所示为常见的FFS（Fringe Field Switching，边缘场开关）像素结构的示意图，FFS液晶显示装置包括：第一基板10、位于第一基板10下侧的第一偏光板41、第二基板20、位于第二基板20上侧的第二偏光板42、以及位于第一基板10和第二基板20之间的液晶层30，第一基板10上依序设有透明导电层43、绝缘层44、和像素电极45。

FFS结构的优势是像素透过率高，即图1所示的有效透光区域面积比较大，原因是FFS结构中，用可以透光的透明导电层43代替金属Cs线。用透明导电层代替金属Cs线虽然可以因省略Cs线而提高像素开口率，但是透明导电层本身不是100%透光，如果用ITO作为透明导电层，透光率一般在90%-93%左右，所以这种FFS结构并没有完全利用原来Cs线部分的面积。并且，由于透明导电层需要使用专门的成膜、光刻、刻蚀工艺，增加了制造成本和延长了制造时间。

发明内容

本发明提供一种新的存储电容的实现方法的液晶显示装置，其不仅能够大幅增加像素开口率，提高有效透光区域面积，还能缩短制造时间和降低制造成本。

本发明提供一种液晶显示装置，包括相对的第一基板和第二基板、以及夹设在第一基板和第二基板之间的液晶层，所述第一基板包括：像素电极、位于像素电极上的第一配向膜，该第一配向膜位于与第二基板相对的一侧；所述第二基板包括：至少一支撑柱、包覆支撑柱的透明导电层、位于透明导电层上的第二配向膜，该第二配向膜位于与第一基板相对的一侧，其中，所述第一配向膜与第二配向膜在支撑柱的位置处呈贴合状态。

其中，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板，且所述第二基板包括色阻层和黑色矩阵，所述支撑柱位于色阻层下方。

其中，所述第一基板为阵列基板，所述第二基板为彩膜基板，且所述第二基板包括黑色矩阵，所述支撑柱位于黑色矩阵下方。

其中，第一基板的像素电极和第二基板的透明导电层在支撑柱所在位置的区域形成存储电容，所述像素电极和透明导电层作为存储电容的平行板电极。

其中，所述第二基板设有显示区域和遮光区域，所述支撑柱设于遮光区域内；所述第一基板还包括纵横交错的扫描线和数据线；所述存储电容的平行板电极位于遮光区域内，且存储电容的平行板电极位于第一基板的扫描线和第二基板的黑色矩阵之间。