[发明专利]各向异性导电膜和半导体装置

权利要求书

1.一种各向异性导电膜，包含：

含多环芳环的环氧树脂，

芴环氧树脂，

纳米二氧化硅，和

导电颗粒。

2.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述含多环芳环的环氧树脂固化后具有165℃至250℃的玻璃化转变温度。

3.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述芴环氧树脂具有50℃至80℃的沸点和1,000或更小的分子量。

4.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述含多环芳环的环氧树脂包括选自由含四官能芳环的环氧树脂和含双官能芳环的环氧树脂组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述含多环芳环的环氧树脂与所述纳米二氧化硅的重量比为3:1至6:1。

6.根据权利要求1所述的各向异性导电膜，其中所述芴环氧树脂为由通式1表示的在双酚芴中含有缩水甘油基的树脂：

[通式1]

其中R各自独立地为烷基、烷氧基、芳基或环烷基，m各自独立地为0至4的整数，且n各自独立地为2至5的整数。

7.根据权利要求1至6的任一项所述的各向异性导电膜，其中所述含多环芳环的环氧树脂与所述芴环氧树脂的重量比在1:0.1至1∶1.5的范围内。

8.根据权利要求1至6的任一项所述的各向异性导电膜，其中所述膜用于玻璃上芯片安装。

9.一种各向异性导电膜，包含：

含多环芳环的环氧树脂；和

具有50℃至80℃沸点的芴环氧树脂，

其中所述含多环芳环的环氧树脂与所述芴环氧树脂的重量比在1:0.1至1:1.5的范围内。

10.根据权利要求9所述的各向异性导电膜，其中所述芴环氧树脂在25℃具有液相。

11.根据权利要求9所述的各向异性导电膜，其中所述含多环芳环的环氧树脂包括选自由含四官能芳环的环氧树脂和含双官能芳环的环氧树脂组成的组中的至少一种。

12.根据权利要求9至11的任一项所述的各向异性导电膜，其中所述含多环芳环的环氧树脂与所述芴环氧树脂的重量比在1:0.14至1∶1的范围内。

13.根据权利要求9至11的任一项所述的各向异性导电膜，进一步包括纳米二氧化硅，其中所述含多环芳环的环氧树脂与所述纳米二氧化硅的重量比在3:1至6:1的范围内。

14.根据权利要求9至11的任一项所述的各向异性导电膜，其中所述膜粘结后提供均匀的压痕。

15.根据权利要求14所述的各向异性导电膜，其中所述膜具有60℃或更高的预压温度。

16.一种在70℃和1MPa下经0.5秒测量具有4MPa或更高的剥离强度的各向异性导电膜。

17.根据权利要求16所述的各向异性导电膜，所述膜具有高于60℃的预压温度。

18.根据权利要求16或17所述的各向异性导电膜，所述膜粘结后提供均匀的压痕。

19.根据权利要求16或17所述的各向异性导电膜，所述膜包括：含多环芳环的环氧树脂、具有50℃至80℃沸点的芴环氧树脂和纳米二氧化硅。

20.根据权利要求19所述的各向异性导电膜，其中所述含多环芳环的环氧树脂与所述芴环氧树脂的重量比在1:0.1至1:1.5的范围内，且所述含多环芳环的环氧树脂与所述纳米二氧化硅的重量比在3:1至6:1的范围内。

21.一种利用根据权利要求1至20任一所述的各向异性导电膜形成的半导体装置。