[发明专利]电阻校准电路无效

专利信息
申请号: 201210584082.X 申请日: 2012-12-28
公开(公告)号: CN103076834A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 张子澈 申请(专利权)人: 四川和芯微电子股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电阻 校准 电路
【权利要求书】:

1.一种电阻校准电路,包括基准电阻、待校准电阻、比较器及数字算法处理器,所述基准电阻一端与比较器的正向输入端连接,另一端接地,所述待校准电阻一端与所述比较器的反向输入端连接,另一端接地,所述比较器的输出端与所述数字算法处理器的输入端连接,所述数字算法处理器的输出端与所述待校准电阻的控制端连接,其特征在于,还包括第一场效应管和第二场效应管组,外部电流通过所述第一场效应管的漏极输入至所述电阻校准电路,所述第二场效应管组分别与所述第一场效应管的栅极、基准电阻的一端及待校准电阻的一端连接,所述第二场效应管组将所述第一场效应管上的电流按比例镜像,并将镜像后的电流输送至所述基准电阻与待校准电阻,所述数字算法处理器根据所述比较器的输出信号输出控制字至所述第二场效应管组,以调节所述第二场效应管组的镜像比例。

2.如权利要求1所述的电阻校准电路,其特征在于,还包括第三场效应管、第四场效应管及第五场效应管,且所述第三场效应管、第四场效应管及第五场效应管的栅极共同连接,其源极均与外部电源连接,所述第三场效应管的漏极及栅极均与所述第二场效应管组的漏极连接,所述第四场效应管的漏极与所述基准电阻的一端连接,所述第五场效应管的漏极与所述待校准电阻的一端连接。

3.如权利要求2所述的电阻校准电路,其特征在于,所述第一场效应管的源极与第二场效应管组的源极均接地,所述第一场效应管的漏极与其栅极连接并连接所述第二场效应管组的栅极。

4.如权利要求3所述的电阻校准电路,其特征在于,所述数字算法处理器与所述第二场效应管组通过总线连接。

5.如权利要求4所述的电阻校准电路,其特征在于,所述第二场效应管组包括多个第二场效应管与多个开关,各个所述第二场效应管的漏极共同连接并与所述第三场效应管的漏极连接,各个所述第二场效应管的源极均接地;一个所述第二场效应管的栅极与所述第一场效应管的栅极连接,其它第二场效应管的栅极均通过开关与所述第一场效应管的栅极连接,且所述数字算法处理器输出的控制字通过所述总线控制各个所述开关的开/关。

6.如权利要求5所述的电阻校准电路,其特征在于,所述总线具有多个控制端,且各个所述总线控制端与对应的各个所述开关的控制端连接,控制相应开关的开/关。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川和芯微电子股份有限公司,未经四川和芯微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210584082.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top