[发明专利]一种有机半导体薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210583061.6 申请日: 2012-12-27
公开(公告)号: CN103066216A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 李岗;国欣鑫;张晓辉 申请(专利权)人: 青岛艾德森能源科技有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 266000 山东省青岛市*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机半导体 薄膜 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机半导体薄膜的制备方法。

背景技术

随着科技的发展和进步,显示技术更新换代,柔性显示成为应用热点,柔性显示技术的关键在柔性驱动板,而有机半导体薄膜是一种重要的柔性驱动薄膜材料,但是目前有机半导体薄膜的制备方法工艺繁杂,制备成本较高,不适宜于工业生产。

因此,寻找有机半导体薄膜的一种工艺简单、成本低廉的制备方法成为亟需解决的问题。

发明内容

本发明提供一种有机半导体薄膜的制备方法,其包括如下步骤:

(a)、对衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理;

(b)、然后在(a)步骤中处理过的衬底上将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂覆液涂覆到衬底上,其中该非卤类溶剂在涂覆时的挥发速率为2×10-4mg/(sec﹒cm2)-8×10-4mg/(sec﹒cm2);

(c)、然后对(b)步骤中的涂覆液进行干燥处理。

有益效果

本发明制备的有机半导体薄膜经过测试分析,显示性能良好,而且该方法工艺要求简单,制造成本低。

具体实施方式

下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

实施例1

该有机半导体薄膜的制备方法,首先对玻璃衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理;然后在处理过的衬底上将含有烷基噻吩低聚物和环己烷溶剂的涂覆液涂覆到衬底上,其中该环己烷溶剂在涂覆时的挥发速率为2×10-4mg/(sec﹒cm2);然后涂覆液进行干燥处理。

实施例2

该有机半导体薄膜的制备方法,首先对金属衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理;然后在处理过的衬底上将含有甲硅烷基乙炔基并五苯化合物和四氢呋喃溶剂的涂覆液涂覆到衬底上,其中该四氢呋喃溶剂在涂覆时的挥发速率为8×10-4mg/(sec﹒cm2);然后对涂覆液进行干燥处理。

实施例3

该有机半导体薄膜的制备方法,首先对塑料衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理;然后在处理过的衬底上将含有苯醌衍生物和二甲苯溶剂的涂覆液涂覆到衬底上,其中该二甲苯溶剂在涂覆时的挥发速率为5×10-4mg/(sec﹒cm2);然后对涂覆液进行干燥处理。

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