[发明专利]一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件及其制作工艺

权利要求书

1.一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件，其特征在于：主要由框架内引脚（1）、锡层（2）、金属凸点（4）、芯片（5）和塑封体（6）组成；所述金属凸点（4）由芯片（5）的压区表面采用浸锡银铜合金法形成，所述框架内引脚（1）与金属凸点（4）的焊接区有一层电镀的锡层（2），框架内引脚（1）上是锡层（2），锡层（2）上是金属凸点（4），金属凸点（4）上是芯片（5），所述塑封体（6）包围了框架内引脚（1）、锡层（2）、金属凸点（4）、芯片（5），芯片（5）、金属凸点（4）、锡层（2）、框架内引脚（1）构成了电路的电源和信号通道。

2.根据权利要求1所述的一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件，其特征在于：所述的锡银铜合金（8）比例为锡——87%~98%，银——0.1%~10%，Cu——0.1%~3%。

3.一种利用浸锡银铜合金法制作的单芯片封装件的制作工艺，其特征在于：按照如下步骤进行：

第一步、浸锡银铜合金形成高温锡球金属凸点：芯片PAD浸入锡银铜合金（8）中，所述的锡银铜合金（8）比例为锡——87%~98%，银——0.1%~10%，Cu——0.1%~3%，在芯片（5）压区金属Al或Cu表面生成5～50um左右的金属凸点（4）层；

第二步、减薄：减薄厚度到50μm～200μm，粗糙度为Ra 0.10mm～0.05mm；

第三步、划片：150μm以上晶圆同普通划片工艺，但厚度在150μm以下晶圆，使用双刀划片机及其工艺；

第四步、框架对应区域镀锡层：在框架内引脚（1）上芯片PAD对应区域电镀一层2～50um的锡层（2），在芯片（5）压区上金属凸点（4）厚度足够的情况下，可以选择不在框架内引脚（1）上镀锡；

第五步、上芯：上芯时，把芯片（5）倒过来，采用Flip-Chip的工艺，将芯片（5）上的金属凸点（4）焊在框架上，这里不使用DAF膜或焊料连接，而是直接将芯片（5）压区各金属凸点（4）与框架管脚相连；压焊时，不用打线，在上芯中就已经完成了芯片（4）与管脚间的导通、互连；

第六步、回流焊：融锡；

第七步、塑封、后固化、打印、产品分离、检验、包装等均与常规工艺相同；

第八步、锡化，若为镍钯金框架则不用做锡化。